ფიქსირებული ინდუქტორები

NLCV25T-1R0M-EFRD

NLCV25T-1R0M-EFRD

ნაწილი საფონდო: 119705

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
MLG0402Q3N6CT000

MLG0402Q3N6CT000

ნაწილი საფონდო: 161904

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.6nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
NLCV25T-R33M-EFRD

NLCV25T-R33M-EFRD

ნაწილი საფონდო: 189270

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.48A,

სასურველი
MLG0402Q1N2BT000

MLG0402Q1N2BT000

ნაწილი საფონდო: 113247

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
MLP2016H3R3MT0S1

MLP2016H3R3MT0S1

ნაწილი საფონდო: 152612

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,

სასურველი
MLG0402P1N5BT000

MLG0402P1N5BT000

ნაწილი საფონდო: 155400

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,

სასურველი
NLCV25T-1R5M-EFRD

NLCV25T-1R5M-EFRD

ნაწილი საფონდო: 126863

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 890mA,

სასურველი
MLG0402Q12NHT000

MLG0402Q12NHT000

ნაწილი საფონდო: 135920

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,

სასურველი
MLG0402P5N1HT000

MLG0402P5N1HT000

ნაწილი საფონდო: 189694

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 5.1nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,

სასურველი
MLP2016S1R5MT0S1

MLP2016S1R5MT0S1

ნაწილი საფონდო: 161204

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,

სასურველი
MLP2012S2R2T

MLP2012S2R2T

ნაწილი საფონდო: 187445

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
MLP2012SR82TT0S1

MLP2012SR82TT0S1

ნაწილი საფონდო: 193192

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,

სასურველი
MLP2016S4R7MT0S1

MLP2016S4R7MT0S1

ნაწილი საფონდო: 192782

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი
MLG0402Q2N8CT000

MLG0402Q2N8CT000

ნაწილი საფონდო: 179891

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.8nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
MLG0402Q2N0BT000

MLG0402Q2N0BT000

ნაწილი საფონდო: 104622

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
MLG0402Q3N4CT000

MLG0402Q3N4CT000

ნაწილი საფონდო: 152474

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.4nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
MLG0402Q1N3CT000

MLG0402Q1N3CT000

ნაწილი საფონდო: 117868

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
MLP2016H1R5MT0S1

MLP2016H1R5MT0S1

ნაწილი საფონდო: 132099

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,

სასურველი
VLS201612HBX-1R5M-1

VLS201612HBX-1R5M-1

ნაწილი საფონდო: 161919

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.16A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.89A,

სასურველი
MLG0402Q1N9BT000

MLG0402Q1N9BT000

ნაწილი საფონდო: 105977

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.9nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
MLP2016HR47MT

MLP2016HR47MT

ნაწილი საფონდო: 130759

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A,

სასურველი
MLG0402P1N2BT000

MLG0402P1N2BT000

ნაწილი საფონდო: 195945

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
MLG0402Q2N2BT000

MLG0402Q2N2BT000

ნაწილი საფონდო: 165910

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
NLCV32T-6R8M-PFRD

NLCV32T-6R8M-PFRD

ნაწილი საფონდო: 126932

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
MLG0402Q2N9CT000

MLG0402Q2N9CT000

ნაწილი საფონდო: 146501

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.9nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
MLG0402P13NHT000

MLG0402P13NHT000

ნაწილი საფონდო: 191621

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 13nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,

სასურველი
MLP2016VR47MT0S1

MLP2016VR47MT0S1

ნაწილი საფონდო: 199493

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,

სასურველი
MLG0402P2N8BT000

MLG0402P2N8BT000

ნაწილი საფონდო: 179169

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.8nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
MLG0402Q3N2CT000

MLG0402Q3N2CT000

ნაწილი საფონდო: 125948

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
MLP2012V1R5MT0S1

MLP2012V1R5MT0S1

ნაწილი საფონდო: 152611

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი
MLP1608V1R0DT0S1

MLP1608V1R0DT0S1

ნაწილი საფონდო: 195556

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
MLG0402Q2N8BT000

MLG0402Q2N8BT000

ნაწილი საფონდო: 128717

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.8nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
MLP2012S2R2TT0S1

MLP2012S2R2TT0S1

ნაწილი საფონდო: 161375

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
MLP2012S1R5TT0S1

MLP2012S1R5TT0S1

ნაწილი საფონდო: 168602

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
MLP2016H2R2MT0S1

MLP2016H2R2MT0S1

ნაწილი საფონდო: 159582

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,

სასურველი
MLD2016S3R3MTD25

MLD2016S3R3MTD25

ნაწილი საფონდო: 159460

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი