ფიქსირებული ინდუქტორები

NLFV32T-150K-EF

NLFV32T-150K-EF

ნაწილი საფონდო: 172175

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,

სასურველი
MLP2520V4R7MT

MLP2520V4R7MT

ნაწილი საფონდო: 103081

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი
VLS252012ET-1R5N

VLS252012ET-1R5N

ნაწილი საფონდო: 187378

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.45A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.8A,

სასურველი
MHQ0603P8N2JT000

MHQ0603P8N2JT000

ნაწილი საფონდო: 171086

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
VLS252012HBX-R68M-1

VLS252012HBX-R68M-1

ნაწილი საფონდო: 107259

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.23A,

სასურველი
MLP2520H4R7ST0S1

MLP2520H4R7ST0S1

ნაწილი საფონდო: 109594

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
VLS2012ET-2R2M

VLS2012ET-2R2M

ნაწილი საფონდო: 186722

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1A,

სასურველი
VLS2010ET-220M

VLS2010ET-220M

ნაწილი საფონდო: 119551

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 330mA, მიმდინარე - სატურაცია: 330mA,

სასურველი
VLS252012HBX-R33M-1

VLS252012HBX-R33M-1

ნაწილი საფონდო: 144552

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.25A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.04A,

სასურველი
VLS252012HBX-100M-1

VLS252012HBX-100M-1

ნაწილი საფონდო: 103117

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 850mA,

სასურველი
MLP2520S1R0MT0S1

MLP2520S1R0MT0S1

ნაწილი საფონდო: 157214

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,

სასურველი
VLS252008ET-6R8M

VLS252008ET-6R8M

ნაწილი საფონდო: 134065

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA, მიმდინარე - სატურაცია: 490mA,

სასურველი
NLFV32T-470K-EFT

NLFV32T-470K-EFT

ნაწილი საფონდო: 120188

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 90mA,

სასურველი
NLFV32T-221K-EF

NLFV32T-221K-EF

ნაწილი საფონდო: 150799

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 40mA,

სასურველი
VLS252010HBX-6R8M-1

VLS252010HBX-6R8M-1

ნაწილი საფონდო: 140414

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 750mA,

სასურველი
VLS201610CX-R68M-1

VLS201610CX-R68M-1

ნაწილი საფონდო: 8621

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.19A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.52A,

სასურველი
MHQ0603P6N8JT000

MHQ0603P6N8JT000

ნაწილი საფონდო: 159267

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
MHQ0603P13NJT000

MHQ0603P13NJT000

ნაწილი საფონდო: 162134

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 13nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
NLFV32T-2R2M-EF

NLFV32T-2R2M-EF

ნაწილი საფონდო: 111778

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
VLS3010ET-3R3M

VLS3010ET-3R3M

ნაწილი საფონდო: 168297

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1A,

სასურველი
VLS201610HBX-1R0M-1

VLS201610HBX-1R0M-1

ნაწილი საფონდო: 191835

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.13A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.5A,

სასურველი
MLP2520H1R0ST

MLP2520H1R0ST

ნაწილი საფონდო: 100988

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,

სასურველი
MLP2520W4R7MT0S1

MLP2520W4R7MT0S1

ნაწილი საფონდო: 135455

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,

სასურველი
MHQ0603P2N3ST000

MHQ0603P2N3ST000

ნაწილი საფონდო: 113122

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
VLS2010ET-1R0N

VLS2010ET-1R0N

ნაწილი საფონდო: 174377

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.45A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.45A,

სასურველი
MHQ0603P3N4ST000

MHQ0603P3N4ST000

ნაწილი საფონდო: 189185

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.4nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
MLP2520V4R7ST0S1

MLP2520V4R7ST0S1

ნაწილი საფონდო: 128673

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი
VLS2012ET-220M

VLS2012ET-220M

ნაწილი საფონდო: 108745

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 330mA, მიმდინარე - სატურაცია: 330mA,

სასურველი
MHQ0603P2N8ST000

MHQ0603P2N8ST000

ნაწილი საფონდო: 182407

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.8nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
VLS252012HBX-1R0M-1

VLS252012HBX-1R0M-1

ნაწილი საფონდო: 151635

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 3A,

სასურველი
VLS252010ET-1R5N

VLS252010ET-1R5N

ნაწილი საფონდო: 115201

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.45A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.45A,

სასურველი
VLS2012ET-1R0N

VLS2012ET-1R0N

ნაწილი საფონდო: 192791

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.45A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.45A,

სასურველი
VLS252010ET-3R3M

VLS252010ET-3R3M

ნაწილი საფონდო: 108981

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 940mA, მიმდინარე - სატურაცია: 940mA,

სასურველი
MHQ0603P9N1JT000

MHQ0603P9N1JT000

ნაწილი საფონდო: 199339

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 9.1nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
VLS2010ET-4R7M

VLS2010ET-4R7M

ნაწილი საფონდო: 186948

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA, მიმდინარე - სატურაცია: 700mA,

სასურველი
NLFV32T-330K-EFT

NLFV32T-330K-EFT

ნაწილი საფონდო: 146901

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 95mA,

სასურველი