ფიქსირებული ინდუქტორები

MHQ0603P2N6CT000

MHQ0603P2N6CT000

ნაწილი საფონდო: 112981

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.6nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
MHQ0603P20NHT000

MHQ0603P20NHT000

ნაწილი საფონდო: 195058

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 20nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,

სასურველი
MHQ0603P15NHT000

MHQ0603P15NHT000

ნაწილი საფონდო: 121375

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
VLS252010ET-R68N

VLS252010ET-R68N

ნაწილი საფონდო: 134293

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.05A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.05A,

სასურველი
MHQ0603P1N1BT000

MHQ0603P1N1BT000

ნაწილი საფონდო: 153860

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.1nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
VLS252008ET-1R0N

VLS252008ET-1R0N

ნაწილი საფონდო: 195631

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 970mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.2A,

სასურველი
MHQ0603P3N3BT000

MHQ0603P3N3BT000

ნაწილი საფონდო: 122150

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
TFM160808ALC-1R0MTAA

TFM160808ALC-1R0MTAA

ნაწილი საფონდო: 174604

ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.1A,

სასურველი
VLS252010ET-2R2M

VLS252010ET-2R2M

ნაწილი საფონდო: 157494

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.2A,

სასურველი
VLS252015ET-1R0N

VLS252015ET-1R0N

ნაწილი საფონდო: 102134

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.75A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.95A,

სასურველი
VLS201612CX-220M-1

VLS201612CX-220M-1

ნაწილი საფონდო: 162

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 480mA, მიმდინარე - სატურაცია: 400mA,

სასურველი
VLS252010ET-R47N

VLS252010ET-R47N

ნაწილი საფონდო: 199521

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.5A,

სასურველი
VLS201610ET-R47N

VLS201610ET-R47N

ნაწილი საფონდო: 101886

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.85A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.85A,

სასურველი
VLS201612CX-1R5M-1

VLS201612CX-1R5M-1

ნაწილი საფონდო: 8675

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.9A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.62A,

სასურველი
MHQ0603P1N4CT000

MHQ0603P1N4CT000

ნაწილი საფონდო: 190556

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.4nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი
MHQ0603P3N5BT000

MHQ0603P3N5BT000

ნაწილი საფონდო: 105750

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.5nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
VLS252015ET-100M

VLS252015ET-100M

ნაწილი საფონდო: 183540

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 660mA, მიმდინარე - სატურაცია: 720mA,

სასურველი
MHQ0603P2N2BT000

MHQ0603P2N2BT000

ნაწილი საფონდო: 138000

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
VLS201612CX-2R2M-1

VLS201612CX-2R2M-1

ნაწილი საფონდო: 77

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.33A,

სასურველი
MHQ0603P10NHT000

MHQ0603P10NHT000

ნაწილი საფონდო: 129026

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,

სასურველი
MHQ0603P2N0BT000

MHQ0603P2N0BT000

ნაწილი საფონდო: 167084

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
MHQ0603P13NHT000

MHQ0603P13NHT000

ნაწილი საფონდო: 165460

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 13nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
MHQ0603P2N5CT000

MHQ0603P2N5CT000

ნაწილი საფონდო: 180780

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.5nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
VLS201610CX-4R7M-1

VLS201610CX-4R7M-1

ნაწილი საფონდო: 155

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 820mA,

სასურველი
MHQ0603P2N4CT000

MHQ0603P2N4CT000

ნაწილი საფონდო: 152245

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.4nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
MHQ0603P5N1CT000

MHQ0603P5N1CT000

ნაწილი საფონდო: 106222

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 5.1nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,

სასურველი
MHQ0603P3N1BT000

MHQ0603P3N1BT000

ნაწილი საფონდო: 106066

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.1nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,

სასურველი
MHQ0603P39NHT000

MHQ0603P39NHT000

ნაწილი საფონდო: 124808

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,

სასურველი
MHQ0603P3N6CT000

MHQ0603P3N6CT000

ნაწილი საფონდო: 193649

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.6nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
MHQ0603P3N0CT000

MHQ0603P3N0CT000

ნაწილი საფონდო: 184605

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,

სასურველი
VLS3015ET-4R7M

VLS3015ET-4R7M

ნაწილი საფონდო: 115376

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1A,

სასურველი
MHQ0603P1N7BT000

MHQ0603P1N7BT000

ნაწილი საფონდო: 170406

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი
MHQ0603P1N8CT000

MHQ0603P1N8CT000

ნაწილი საფონდო: 101357

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.8nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
MHQ0603P2N7BT000

MHQ0603P2N7BT000

ნაწილი საფონდო: 118276

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
VLS201610CX-220M-1

VLS201610CX-220M-1

ნაწილი საფონდო: 109

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 480mA, მიმდინარე - სატურაცია: 380mA,

სასურველი
VLS252012ET-6R8M

VLS252012ET-6R8M

ნაწილი საფონდო: 189653

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA, მიმდინარე - სატურაცია: 850mA,

სასურველი