ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 470mA, მიმდინარე - სატურაცია: 470mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.2A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 580mA, მიმდინარე - სატურაცია: 580mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 550mA, მიმდინარე - სატურაცია: 550mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.22A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.08A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 11nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 390mA, მიმდინარე - სატურაცია: 390mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.1nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.2A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.6µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.9A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 550mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.8A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA, მიმდინარე - სატურაცია: 450mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 560mA, მიმდინარე - სატურაცია: 540mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.35A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.35A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 30mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA, მიმდინარე - სატურაცია: 700mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.4A,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.5A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 7.5nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.9A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.75A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 5.1nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.45A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.75A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.8A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.4A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.5A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.1nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.9A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.4A,
