ფიქსირებული ინდუქტორები

VLS5045EX-2R2N

VLS5045EX-2R2N

ნაწილი საფონდო: 115677

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 6.4A,

სასურველი
VLS252010CX-100M-1

VLS252010CX-100M-1

ნაწილი საფონდო: 93

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 710mA, მიმდინარე - სატურაცია: 660mA,

სასურველი
MHQ0603P4N1BTD25

MHQ0603P4N1BTD25

ნაწილი საფონდო: 66

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.1nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
VLS5045EX-150M

VLS5045EX-150M

ნაწილი საფონდო: 152625

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.9A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.2A,

სასურველი
VLS252010ET-4R7M

VLS252010ET-4R7M

ნაწილი საფონდო: 199845

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA, მიმდინარე - სატურაცია: 800mA,

სასურველი
VLS252010CX-2R2M-1

VLS252010CX-2R2M-1

ნაწილი საფონდო: 8695

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.58A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.51A,

სასურველი
VLS252012CX-4R7M-1

VLS252012CX-4R7M-1

ნაწილი საფონდო: 8671

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.24A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.1A,

სასურველი
MHQ0603P2N6BTD25

MHQ0603P2N6BTD25

ნაწილი საფონდო: 145

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.6nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
VLS5045EX-470M

VLS5045EX-470M

ნაწილი საფონდო: 142940

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.3A,

სასურველი
MHQ0603P1N8BTD25

MHQ0603P1N8BTD25

ნაწილი საფონდო: 73

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.8nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
VLS6045EX-4R7M

VLS6045EX-4R7M

ნაწილი საფონდო: 183127

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.8A,

სასურველი
MHQ0603P3N9BTD25

MHQ0603P3N9BTD25

ნაწილი საფონდო: 85

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
MHQ0603P13NHTD25

MHQ0603P13NHTD25

ნაწილი საფონდო: 86

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 13nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
MHQ0603P33NHTD25

MHQ0603P33NHTD25

ნაწილი საფონდო: 120

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,

სასურველი
VLS201612ET-R68N

VLS201612ET-R68N

ნაწილი საფონდო: 183336

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.7A,

სასურველი
MHQ0603P4N3HTD25

MHQ0603P4N3HTD25

ნაწილი საფონდო: 113

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.3nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
VLS6045EX-6R8N

VLS6045EX-6R8N

ნაწილი საფონდო: 106500

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.7A,

სასურველი
MHQ0603P1N5BTD25

MHQ0603P1N5BTD25

ნაწილი საფონდო: 119

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი
VLS252010CX-6R8M-1

VLS252010CX-6R8M-1

ნაწილი საფონდო: 8693

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 860mA, მიმდინარე - სატურაცია: 860mA,

სასურველი
VLS5045EX-220M

VLS5045EX-220M

ნაწილი საფონდო: 140608

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 2A,

სასურველი
VLS6045EX-1R5N

VLS6045EX-1R5N

ნაწილი საფონდო: 118632

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 8.2A,

სასურველი
MHQ0603P3N3BTD25

MHQ0603P3N3BTD25

ნაწილი საფონდო: 83

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
MHQ0603P18NHTD25

MHQ0603P18NHTD25

ნაწილი საფონდო: 65

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
VLS2010ET-1R5N

VLS2010ET-1R5N

ნაწილი საფონდო: 126303

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.2A,

სასურველი
VLS3015ET-470M

VLS3015ET-470M

ნაწილი საფონდო: 135098

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA, მიმდინარე - სატურაცია: 320mA,

სასურველი
VLS252010CX-220M-1

VLS252010CX-220M-1

ნაწილი საფონდო: 101

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA, მიმდინარე - სატურაცია: 460mA,

სასურველი
VLS252012CX-3R3M-1

VLS252012CX-3R3M-1

ნაწილი საფონდო: 136

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.53A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.31A,

სასურველი
VLS252012CX-150M-1

VLS252012CX-150M-1

ნაწილი საფონდო: 109

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA, მიმდინარე - სატურაცია: 600mA,

სასურველი
MHQ0603P12NHTD25

MHQ0603P12NHTD25

ნაწილი საფონდო: 137

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,

სასურველი
MHQ0603P8N2HTD25

MHQ0603P8N2HTD25

ნაწილი საფონდო: 102

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
MHQ0603P20NHTD25

MHQ0603P20NHTD25

ნაწილი საფონდო: 125

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 20nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,

სასურველი
MHQ0603P4N0BTD25

MHQ0603P4N0BTD25

ნაწილი საფონდო: 103

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 4nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
MHQ0603P3N4BTD25

MHQ0603P3N4BTD25

ნაწილი საფონდო: 65

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.4nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
MHQ0603P2N5BTD25

MHQ0603P2N5BTD25

ნაწილი საფონდო: 161

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.5nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
MHQ0603P0N9BTD25

MHQ0603P0N9BTD25

ნაწილი საფონდო: 132

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.9nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
MHQ0603P2N3BTD25

MHQ0603P2N3BTD25

ნაწილი საფონდო: 150

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი