რეზონერები

CCR30.0MXC7T

CCR30.0MXC7T

ნაწილი საფონდო: 1967

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 8pF,

სასურველი
CCR25.0MXC7T

CCR25.0MXC7T

ნაწილი საფონდო: 2022

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 8pF,

სასურველი
CCR6.0MUC8WT

CCR6.0MUC8WT

ნაწილი საფონდო: 1933

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 27pF,

სასურველი
FCR6.0MC5T

FCR6.0MC5T

ნაწილი საფონდო: 237

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 30pF,

სასურველი
FCR25.0M6T

FCR25.0M6T

ნაწილი საფონდო: 1996

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%,

სასურველი
CCR4.0MUC8WT

CCR4.0MUC8WT

ნაწილი საფონდო: 1889

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 27pF,

სასურველი
CCR8.0MXC8WT

CCR8.0MXC8WT

ნაწილი საფონდო: 1889

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 18pF,

სასურველი
FCR40.0M6T

FCR40.0M6T

ნაწილი საფონდო: 1902

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%,

სასურველი
FCR16.0M2GT

FCR16.0M2GT

ნაწილი საფონდო: 1926

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%,

სასურველი
FCR24.0M2G

FCR24.0M2G

ნაწილი საფონდო: 1887

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%,

სასურველი
FCR4.19MC5

FCR4.19MC5

ნაწილი საფონდო: 1929

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4.19MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 30pF,

სასურველი
FCR6.0M5T

FCR6.0M5T

ნაწილი საფონდო: 210

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%,

სასურველი
CCR10.0MXC8T

CCR10.0MXC8T

ნაწილი საფონდო: 1974

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 10MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 18pF,

სასურველი
FCR4.0MC5T

FCR4.0MC5T

ნაწილი საფონდო: 1935

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 30pF,

სასურველი
CCR48.0MXC7A15T

CCR48.0MXC7A15T

ნაწილი საფონდო: 1844

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.15%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 8pF,

სასურველი
FCR24.0M6T

FCR24.0M6T

ნაწილი საფონდო: 151723

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%,

სასურველი
FCR18.43M6T

FCR18.43M6T

ნაწილი საფონდო: 1954

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 18.43MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%,

სასურველი
FCR8.0MC5T

FCR8.0MC5T

ნაწილი საფონდო: 1851

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 20pF,

სასურველი
FCR4.19MC5T

FCR4.19MC5T

ნაწილი საფონდო: 1915

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4.19MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 30pF,

სასურველი
FCR8.0MC5

FCR8.0MC5

ნაწილი საფონდო: 193

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 20pF,

სასურველი
CCR40.0MXC7T

CCR40.0MXC7T

ნაწილი საფონდო: 1876

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 8pF,

სასურველი
FCR4.0MC5

FCR4.0MC5

ნაწილი საფონდო: 1881

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 30pF,

სასურველი
CCR6.0MUC8T

CCR6.0MUC8T

ნაწილი საფონდო: 1890

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 27pF,

სასურველი
FCR6.0MC5

FCR6.0MC5

ნაწილი საფონდო: 1854

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 30pF,

სასურველი
FCR18.0M6T

FCR18.0M6T

ნაწილი საფონდო: 1915

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 18MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%,

სასურველი
CCR16.93MXC7T

CCR16.93MXC7T

ნაწილი საფონდო: 1942

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 16.93MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 9pF,

სასურველი
CCR20.0MXC7T

CCR20.0MXC7T

ნაწილი საფონდო: 1876

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 9pF,

სასურველი
FCR16.0M2G

FCR16.0M2G

ნაწილი საფონდო: 1897

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%,

სასურველი
CCR27.12MYC7B05T1

CCR27.12MYC7B05T1

ნაწილი საფონდო: 240

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 27.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 7pF,

სასურველი
CCR4.0MUC8T

CCR4.0MUC8T

ნაწილი საფონდო: 271

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 27pF,

სასურველი
CCR8.0MXC8T

CCR8.0MXC8T

ნაწილი საფონდო: 1974

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 18pF,

სასურველი
CCR24.0MYC7B05T1

CCR24.0MYC7B05T1

ნაწილი საფონდო: 1939

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 7pF,

სასურველი
FCR8.0M5

FCR8.0M5

ნაწილი საფონდო: 1897

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%,

სასურველი
FCR33.86M6T

FCR33.86M6T

ნაწილი საფონდო: 1912

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 33.86MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%,

სასურველი
FCR4.0M5

FCR4.0M5

ნაწილი საფონდო: 1881

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%,

სასურველი
CCR33.86MXC7T

CCR33.86MXC7T

ნაწილი საფონდო: 156951

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 33.86MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 8pF,

სასურველი