ინდუქცია: 6.8µH,
ინდუქცია: 3.3µH,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 720mA, მიმდინარე - სატურაცია: 720mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA, მიმდინარე - სატურაცია: 450mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA, მიმდინარე - სატურაცია: 300mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 900mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.5A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA, მიმდინარე - სატურაცია: 640mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 11nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 40mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.4nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 550mA,
ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.6A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 13nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 440mA, მიმდინარე - სატურაცია: 350mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 950mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA, მიმდინარე - სატურაცია: 800mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 730mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 560mA, მიმდინარე - სატურაცია: 440mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 60mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA, მიმდინარე - სატურაცია: 400mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA, მიმდინარე - სატურაცია: 550mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 850mA, მიმდინარე - სატურაცია: 700mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 870mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.3A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.15A, მიმდინარე - სატურაცია: 1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.2A,
