ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.7nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 15mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.6nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 30nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 130mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.6nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.1nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.9nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.5nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA, მიმდინარე - სატურაცია: 90mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA, მიმდინარე - სატურაცია: 650mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.9mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 38mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 8.2mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 28mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.8A,
ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 660mA, მიმდინარე - სატურაცია: 660mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 5.1nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 330mA, მიმდინარე - სატურაცია: 460mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 880mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA, მიმდინარე - სატურაცია: 225mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.5A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 6.2nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA, მიმდინარე - სატურაცია: 700mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.3A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 3A, მიმდინარე - სატურაცია: 3A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.7A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 7.5nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,
