ფიქსირებული ინდუქტორები

MLG0603Q3N9S

MLG0603Q3N9S

ნაწილი საფონდო: 7673

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
MLG1608S1R0JTD25

MLG1608S1R0JTD25

ნაწილი საფონდო: 8055

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA,

სასურველი
MLG1608B6N8DTD25

MLG1608B6N8DTD25

ნაწილი საფონდო: 8026

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
MLG0603Q68NJ

MLG0603Q68NJ

ნაწილი საფონდო: 7902

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 60mA,

სასურველი
VLS252012T-6R8MR66

VLS252012T-6R8MR66

ნაწილი საფონდო: 157726

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 660mA, მიმდინარე - სატურაცია: 990mA,

სასურველი
MLG1608B39NJTD25

MLG1608B39NJTD25

ნაწილი საფონდო: 8031

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
TSL0709RA-1R5M4R3-PF

TSL0709RA-1R5M4R3-PF

ნაწილი საფონდო: 7973

ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.4A,

სასურველი
MLG1608B2N7STD25

MLG1608B2N7STD25

ნაწილი საფონდო: 7968

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
NL565050T-222J-PF

NL565050T-222J-PF

ნაწილი საფონდო: 7811

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 55mA,

სასურველი
TSL1112RA-153JR12-PF

TSL1112RA-153JR12-PF

ნაწილი საფონდო: 7761

ინდუქცია: 15mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA, მიმდინარე - სატურაცია: 130mA,

სასურველი
MLG1608B47NJTD25

MLG1608B47NJTD25

ნაწილი საფონდო: 9802

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
MLG1608B10NJTD25

MLG1608B10NJTD25

ნაწილი საფონდო: 8019

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
TSL1315RA-100K5R1-PF

TSL1315RA-100K5R1-PF

ნაწილი საფონდო: 7820

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 12A,

სასურველი
MLG1608B3N9STD25

MLG1608B3N9STD25

ნაწილი საფონდო: 8037

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
GLFR2012T2R2M-LR

GLFR2012T2R2M-LR

ნაწილი საფონდო: 7780

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA, მიმდინარე - სატურაცია: 240mA,

სასურველი
CPL2510T1R0M

CPL2510T1R0M

ნაწილი საფონდო: 9805

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.2A,

სასურველი
VLS252015T-3R3M1R0

VLS252015T-3R3M1R0

ნაწილი საფონდო: 164697

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.4A,

სასურველი
MLG1608B22NJTD25

MLG1608B22NJTD25

ნაწილი საფონდო: 8001

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
MLF1005DR33KT

MLF1005DR33KT

ნაწილი საფონდო: 7813

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 25mA,

სასურველი
VLS252012T-3R3MR99

VLS252012T-3R3MR99

ნაწილი საფონდო: 130984

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.4A,

სასურველი
VLS252010T-R68N

VLS252010T-R68N

ნაწილი საფონდო: 158760

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.2A,

სასურველი
CLF6045T-331M-H

CLF6045T-331M-H

ნაწილი საფონდო: 152649

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 440mA, მიმდინარე - სატურაცია: 350mA,

სასურველი
MLG1608SR22JTD25

MLG1608SR22JTD25

ნაწილი საფონდო: 7985

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
CLF6045T-471M-H

CLF6045T-471M-H

ნაწილი საფონდო: 152625

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 370mA, მიმდინარე - სატურაცია: 300mA,

სასურველი
MLF1005DR22KT

MLF1005DR22KT

ნაწილი საფონდო: 9802

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 25mA,

სასურველი
TSL1112RA-680K1R6-PF

TSL1112RA-680K1R6-PF

ნაწილი საფონდო: 7838

ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.9A,

სასურველი
SLF7030T-101MR35-PF

SLF7030T-101MR35-PF

ნაწილი საფონდო: 130788

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,

სასურველი
MLG1608B4N7STD25

MLG1608B4N7STD25

ნაწილი საფონდო: 7965

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
MLG1608B12NJTD25

MLG1608B12NJTD25

ნაწილი საფონდო: 7978

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
TSL1112RA-2R2M6R7-PF

TSL1112RA-2R2M6R7-PF

ნაწილი საფონდო: 7778

ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 6.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 10A,

სასურველი
TSL0808RA-101KR80-PF

TSL0808RA-101KR80-PF

ნაწილი საფონდო: 7812

ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA, მიმდინარე - სატურაცია: 800mA,

სასურველი
MLG0603Q1N9S

MLG0603Q1N9S

ნაწილი საფონდო: 7885

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.9nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
SL2125-102K1R3-PF

SL2125-102K1R3-PF

ნაწილი საფონდო: 10050

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.7A,

სასურველი
GLCR2012T1R0M-HC

GLCR2012T1R0M-HC

ნაწილი საფონდო: 7782

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA, მიმდინარე - სატურაცია: 490mA,

სასურველი
CPL2512T4R7M

CPL2512T4R7M

ნაწილი საფონდო: 7800

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA, მიმდინარე - სატურაცია: 650mA,

სასურველი
MLG0603Q2N9S

MLG0603Q2N9S

ნაწილი საფონდო: 9841

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.9nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი