ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA, მიმდინარე - სატურაცია: 300mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.7A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 4nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.7A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.5A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 430mA, მიმდინარე - სატურაცია: 430mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.6A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.6A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.5nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 20nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 60mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.2A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.3A,
ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.5A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA, მიმდინარე - სატურაცია: 600mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2A, მიმდინარე - სატურაცია: 2A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA, მიმდინარე - სატურაცია: 700mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.2A,
ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 190mA, მიმდინარე - სატურაცია: 200mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 36nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 80mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.8nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.8A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.1A,
ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.7A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 60mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.5A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.6A,
ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.9A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.6A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.1nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.3A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 35mA,
