ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.1A,
ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 9.5A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ინდუქცია: 6.8mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA, მიმდინარე - სატურაცია: 460mA,
ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA, მიმდინარე - სატურაცია: 450mA,
ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 7.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 14A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 580mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.3A,
ინდუქცია: 2.2mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 550mA, მიმდინარე - სატურაცია: 830mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 720mA, მიმდინარე - სატურაცია: 950mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 10mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.4A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 120µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 230mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA,
ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.3A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.9A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 5.6mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA, მიმდინარე - სატურაცია: 470mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA, მიმდინარე - სატურაცია: 30mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA, მიმდინარე - სატურაცია: 320mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA, მიმდინარე - სატურაცია: 75mA,
ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.8A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 8.9A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA, მიმდინარე - სატურაცია: 700mA,
ინდუქცია: 4.7mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 210mA, მიმდინარე - სატურაცია: 240mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.2mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 75mA,
ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 7.2A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 410mA, მიმდინარე - სატურაცია: 550mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.2A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1A,
ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 540mA, მიმდინარე - სატურაცია: 540mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 880mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 10mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 25mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 120nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 550mA,
ინდუქცია: 3.3mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA, მიმდინარე - სატურაცია: 280mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 590mA, მიმდინარე - სატურაცია: 780mA,
