ინდუქცია: 2.2mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 170mA, მიმდინარე - სატურაცია: 170mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 120nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 25mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.8A,
ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 380mA, მიმდინარე - სატურაცია: 380mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 720mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.6A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 6A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 30mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 180nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 780mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.2A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA, მიმდინარე - სატურაცია: 140mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 690mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 3A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 10mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.3A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.7mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 45mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 360nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 17A, მიმდინარე - სატურაცია: 17A,
ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 6.1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 2A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 180nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 475mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.4A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 10mA,
ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA, მიმდინარე - სატურაცია: 260mA,
ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.2A,
ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.3A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 270nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 25mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 180µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 190mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.8A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA,
ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.8A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 10mA,
ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 670mA, მიმდინარე - სატურაცია: 670mA,
ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.2A,
