ფიქსირებული ინდუქტორები

GLF201208T1R0M

GLF201208T1R0M

ნაწილი საფონდო: 5146

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA, მიმდინარე - სატურაცია: 340mA,

სასურველი
TSL1112RA-151K1R1-PF

TSL1112RA-151K1R1-PF

ნაწილი საფონდო: 5300

ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.3A,

სასურველი
GLCR2012T100M-HC

GLCR2012T100M-HC

ნაწილი საფონდო: 9594

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 380mA, მიმდინარე - სატურაცია: 155mA,

სასურველი
NL565050T-562J-PF

NL565050T-562J-PF

ნაწილი საფონდო: 5139

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 5.6mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 33mA,

სასურველი
NLC565050T-270K-PF

NLC565050T-270K-PF

ნაწილი საფონდო: 155861

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 27µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 440mA,

სასურველი
TSL1315RA-680K3R0-PF

TSL1315RA-680K3R0-PF

ნაწილი საფონდო: 5249

ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 3A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.8A,

სასურველი
GLCR2012T470M-HC

GLCR2012T470M-HC

ნაწილი საფონდო: 5210

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 170mA, მიმდინარე - სატურაცია: 70mA,

სასურველი
SL1215-470K2R0-PF

SL1215-470K2R0-PF

ნაწილი საფონდო: 5311

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.9A,

სასურველი
NLC565050T-220K-PF

NLC565050T-220K-PF

ნაწილი საფონდო: 9535

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 480mA,

სასურველი
TSL1112RA-103JR14-PF

TSL1112RA-103JR14-PF

ნაწილი საფონდო: 5316

ინდუქცია: 10mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA, მიმდინარე - სატურაცია: 170mA,

სასურველი
MLF1005AR47KT

MLF1005AR47KT

ნაწილი საფონდო: 5116

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 10mA,

სასურველი
NLC565050T-1R0K-PF

NLC565050T-1R0K-PF

ნაწილი საფონდო: 5115

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A,

სასურველი
TSL0808RA-220K1R7-PF

TSL0808RA-220K1R7-PF

ნაწილი საფონდო: 5229

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.7A,

სასურველი
SL1215-222KR31-PF

SL1215-222KR31-PF

ნაწილი საფონდო: 5284

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 310mA, მიმდინარე - სატურაცია: 700mA,

სასურველი
NL565050T-472J-PF

NL565050T-472J-PF

ნაწილი საფონდო: 5202

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 36mA,

სასურველი
NLHV25T-R39J-PF

NLHV25T-R39J-PF

ნაწილი საფონდო: 5143

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 390nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 375mA,

სასურველი
TSL1112RA-102JR50-PF

TSL1112RA-102JR50-PF

ნაწილი საფონდო: 5340

ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA, მიმდინარე - სატურაცია: 510mA,

სასურველი
MLF1005AR39KT

MLF1005AR39KT

ნაწილი საფონდო: 5139

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 390nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 10mA,

სასურველი
TSL0808RA-2R2M3R9-PF

TSL0808RA-2R2M3R9-PF

ნაწილი საფონდო: 9608

ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.9A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.6A,

სასურველი
GLCR2012T101M-HC

GLCR2012T101M-HC

ნაწილი საფონდო: 9600

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 130mA, მიმდინარე - სატურაცია: 40mA,

სასურველი
NLC565050T-150K-PF

NLC565050T-150K-PF

ნაწილი საფონდო: 5128

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 580mA,

სასურველი
SL1215-100K3R6-PF

SL1215-100K3R6-PF

ნაწილი საფონდო: 5270

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 9.8A,

სასურველი
TSL1112RA-471KR72-PF

TSL1112RA-471KR72-PF

ნაწილი საფონდო: 5293

ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 720mA, მიმდინარე - სატურაცია: 750mA,

სასურველი
SL1720-222KR60-PF

SL1720-222KR60-PF

ნაწილი საფონდო: 5285

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA, მიმდინარე - სატურაცია: 810mA,

სასურველი
TSL0808RA-330K1R4-PF

TSL0808RA-330K1R4-PF

ნაწილი საფონდო: 5188

ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.4A,

სასურველი
NLC565050T-102K-PF

NLC565050T-102K-PF

ნაწილი საფონდო: 5027

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 85mA,

სასურველი
NLHV25T-R82J-PF

NLHV25T-R82J-PF

ნაწილი საფონდო: 5226

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 280mA,

სასურველი
SL1215-220K2R8-PF

SL1215-220K2R8-PF

ნაწილი საფონდო: 5311

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 7.2A,

სასურველი
SL1720-102KR90-PF

SL1720-102KR90-PF

ნაწილი საფონდო: 5306

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.1A,

სასურველი
TSL1112RA-152JR38-PF

TSL1112RA-152JR38-PF

ნაწილი საფონდო: 5289

ინდუქცია: 1.5mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 380mA, მიმდინარე - სატურაცია: 430mA,

სასურველი
SL1215-101K1R5-PF

SL1215-101K1R5-PF

ნაწილი საფონდო: 5305

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.4A,

სასურველი
TSL0808RA-332KR14-PF

TSL0808RA-332KR14-PF

ნაწილი საფონდო: 115869

ინდუქცია: 3.3mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA, მიმდინარე - სატურაცია: 140mA,

სასურველი
NLC565050T-821K-PF

NLC565050T-821K-PF

ნაწილი საფონდო: 9519

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 820µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 90mA,

სასურველი
TSL1112RA-682JR18-PF

TSL1112RA-682JR18-PF

ნაწილი საფონდო: 5259

ინდუქცია: 6.8mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA, მიმდინარე - სატურაცია: 200mA,

სასურველი
SL2125-222KR87-PF

SL2125-222KR87-PF

ნაწილი საფონდო: 5330

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 870mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.1A,

სასურველი
NLC565050T-680K-PF

NLC565050T-680K-PF

ნაწილი საფონდო: 5203

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 290mA,

სასურველი