ფიქსირებული ინდუქტორები

NLC565050T-1R5K-PF

NLC565050T-1R5K-PF

ნაწილი საფონდო: 5192

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,

სასურველი
SL1215-102KR51-PF

SL1215-102KR51-PF

ნაწილი საფონდო: 5261

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 510mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.1A,

სასურველი
TSL0808RA-100K2R6-PF

TSL0808RA-100K2R6-PF

ნაწილი საფონდო: 5209

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.6A,

სასურველი
VLS3015T-4R7MR99

VLS3015T-4R7MR99

ნაწილი საფონდო: 183848

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 990mA, მიმდინარე - სატურაცია: 990mA,

სასურველი
VLS3012T-2R2M1R5

VLS3012T-2R2M1R5

ნაწილი საფონდო: 196119

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.5A,

სასურველი
TSL1315RA-331K1R4-PF

TSL1315RA-331K1R4-PF

ნაწილი საფონდო: 5260

ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.1A,

სასურველი
NLC565050T-1R8K-PF

NLC565050T-1R8K-PF

ნაწილი საფონდო: 5118

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,

სასურველი
TSL1112RA-331KR82-PF

TSL1112RA-331KR82-PF

ნაწილი საფონდო: 5313

ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 820mA, მიმდინარე - სატურაცია: 880mA,

სასურველი
GLFR2012T1R0M-LR

GLFR2012T1R0M-LR

ნაწილი საფონდო: 9554

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.15A, მიმდინარე - სატურაცია: 300mA,

სასურველი
NLHV25T-R56J-PF

NLHV25T-R56J-PF

ნაწილი საფონდო: 5229

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 325mA,

სასურველი
MLG1608B1N0STD25

MLG1608B1N0STD25

ნაწილი საფონდო: 192334

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
TSL1315RA-152JR68-PF

TSL1315RA-152JR68-PF

ნაწილი საფონდო: 5200

ინდუქცია: 1.5mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 680mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1A,

სასურველი
TSL1112RA-220K2R9-PF

TSL1112RA-220K2R9-PF

ნაწილი საფონდო: 5305

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.9A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.4A,

სასურველი
SL1720-221K1R8-PF

SL1720-221K1R8-PF

ნაწილი საფონდო: 5356

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.6A,

სასურველი
GLFR2012T470M-LR

GLFR2012T470M-LR

ნაწილი საფონდო: 5190

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 230mA, მიმდინარე - სატურაცია: 50mA,

სასურველი
MLF1005AR56KT

MLF1005AR56KT

ნაწილი საფონდო: 5137

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 10mA,

სასურველი
TSL1112RA-100M3R7-PF

TSL1112RA-100M3R7-PF

ნაწილი საფონდო: 5216

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 5A,

სასურველი
NLC565050T-681K-PF

NLC565050T-681K-PF

ნაწილი საფონდო: 5191

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,

სასურველი
TSL0808RA-680K1R0-PF

TSL0808RA-680K1R0-PF

ნაწილი საფონდო: 5219

ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1A,

სასურველი
TSL1315RA-220K4R2-PF

TSL1315RA-220K4R2-PF

ნაწილი საფონდო: 5183

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 8.2A,

სასურველი
TSL1112RA-3R3M5R9-PF

TSL1112RA-3R3M5R9-PF

ნაწილი საფონდო: 5302

ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.9A, მიმდინარე - სატურაცია: 8.8A,

სასურველი
MLF1005A2R2KT

MLF1005A2R2KT

ნაწილი საფონდო: 5235

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 10mA,

სასურველი
SL1923-153KR26-PF

SL1923-153KR26-PF

ნაწილი საფონდო: 5292

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA, მიმდინარე - სატურაცია: 380mA,

სასურველი
TSL1315RA-470K3R4-PF

TSL1315RA-470K3R4-PF

ნაწილი საფონდო: 5266

ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.7A,

სასურველი
TSL0808RA-6R8M3R1-PF

TSL0808RA-6R8M3R1-PF

ნაწილი საფონდო: 5225

ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.2A,

სასურველი
TSL1315RA-330K3R7-PF

TSL1315RA-330K3R7-PF

ნაწილი საფონდო: 5219

ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 6.8A,

სასურველი
CPL2512T6R8M

CPL2512T6R8M

ნაწილი საფონდო: 4850

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA, მიმდინარე - სატურაცია: 450mA,

სასურველი
MLZ2012E4R7M

MLZ2012E4R7M

ნაწილი საფონდო: 128737

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 80mA,

სასურველი
MLZ2012A1R0M

MLZ2012A1R0M

ნაწილი საფონდო: 119522

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA, მიმდინარე - სატურაცია: 280mA,

სასურველი
MLG1608B2N2STD25

MLG1608B2N2STD25

ნაწილი საფონდო: 4603

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
NLFC201614T-220K-PF

NLFC201614T-220K-PF

ნაწილი საფონდო: 3901

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 75mA,

სასურველი
CLF12555T-2R2N-H

CLF12555T-2R2N-H

ნაწილი საფონდო: 76615

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 6.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 13.1A,

სასურველი
SLF7028T-470MR54-PF

SLF7028T-470MR54-PF

ნაწილი საფონდო: 183118

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 540mA,

სასურველი
SLF7028T-4R7M1R5-PF

SLF7028T-4R7M1R5-PF

ნაწილი საფონდო: 183145

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,

სასურველი
MLG0603Q15NJ

MLG0603Q15NJ

ნაწილი საფონდო: 9466

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
MLG0603Q3N3S

MLG0603Q3N3S

ნაწილი საფონდო: 4310

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი