ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 510mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.1A,
ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.6A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 990mA, მიმდინარე - სატურაცია: 990mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.5A,
ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,
ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 820mA, მიმდინარე - სატურაცია: 880mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.15A, მიმდინარე - სატურაცია: 300mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 325mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ინდუქცია: 1.5mH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 680mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1A,
ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.9A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.4A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.6A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 230mA, მიმდინარე - სატურაცია: 50mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 10mA,
ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 5A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,
ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1A,
ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 8.2A,
ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.9A, მიმდინარე - სატურაცია: 8.8A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 10mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA, მიმდინარე - სატურაცია: 380mA,
ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.7A,
ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.2A,
ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 6.8A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA, მიმდინარე - სატურაცია: 450mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 80mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA, მიმდინარე - სატურაცია: 280mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 75mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 6.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 13.1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 540mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,