ფიქსირებული ინდუქტორები

MLZ1608E4R7M

MLZ1608E4R7M

ნაწილი საფონდო: 168980

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 60mA,

სასურველი
NLFC201614T-4R7M-PF

NLFC201614T-4R7M-PF

ნაწილი საფონდო: 3930

ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,

სასურველი
SLF7030T-4R7M1R6-PF

SLF7030T-4R7M1R6-PF

ნაწილი საფონდო: 130852

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,

სასურველი
MLG1608SR12JT000

MLG1608SR12JT000

ნაწილი საფონდო: 4207

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 120nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
GLF2012T470K

GLF2012T470K

ნაწილი საფონდო: 4324

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 170mA, მიმდინარე - სატურაცია: 50mA,

სასურველი
MLG0603Q0N8C

MLG0603Q0N8C

ნაწილი საფონდო: 4283

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.8nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
MLG0603Q2N4S

MLG0603Q2N4S

ნაწილი საფონდო: 4277

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.4nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,

სასურველი
SLF7028T-100M1R1-PF

SLF7028T-100M1R1-PF

ნაწილი საფონდო: 183069

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A,

სასურველი
GLF2012T1R0M

GLF2012T1R0M

ნაწილი საფონდო: 4340

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 850mA, მიმდინარე - სატურაცია: 275mA,

სასურველი
MLG0603Q2N7S

MLG0603Q2N7S

ნაწილი საფონდო: 4270

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,

სასურველი
MLG0603Q1N2S

MLG0603Q1N2S

ნაწილი საფონდო: 4283

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 550mA,

სასურველი
MLG0603Q1N5S

MLG0603Q1N5S

ნაწილი საფონდო: 4278

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 550mA,

სასურველი
MLG0603Q10NJ

MLG0603Q10NJ

ნაწილი საფონდო: 4326

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
MLG0603Q1N1S

MLG0603Q1N1S

ნაწილი საფონდო: 9500

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.1nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 550mA,

სასურველი
MLG0603Q4N7S

MLG0603Q4N7S

ნაწილი საფონდო: 4313

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
GLF2012T220K

GLF2012T220K

ნაწილი საფონდო: 4271

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA, მიმდინარე - სატურაცია: 75mA,

სასურველი
GLF1608T1R0M

GLF1608T1R0M

ნაწილი საფონდო: 4285

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA, მიმდინარე - სატურაცია: 125mA,

სასურველი
MLG0603Q1N0S

MLG0603Q1N0S

ნაწილი საფონდო: 9484

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
MLG0603Q8N2J

MLG0603Q8N2J

ნაწილი საფონდო: 9513

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,

სასურველი
MLF1005L1R2K

MLF1005L1R2K

ნაწილი საფონდო: 180325

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 35mA,

სასურველი
MLG1608B1N0ST000

MLG1608B1N0ST000

ნაწილი საფონდო: 3246

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
MLG1608B22NJT000

MLG1608B22NJT000

ნაწილი საფონდო: 9362

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
MLG1608B18NJT000

MLG1608B18NJT000

ნაწილი საფონდო: 3212

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
MLG1608B12NJT000

MLG1608B12NJT000

ნაწილი საფონდო: 3236

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
MLG1608B5N6DT000

MLG1608B5N6DT000

ნაწილი საფონდო: 3238

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
MLG1608B39NJT000

MLG1608B39NJT000

ნაწილი საფონდო: 9383

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
MLG1608B15NJT000

MLG1608B15NJT000

ნაწილი საფონდო: 3185

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
MLG1608B47NJT000

MLG1608B47NJT000

ნაწილი საფონდო: 3192

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
MLG0603Q2N8S

MLG0603Q2N8S

ნაწილი საფონდო: 3373

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.8nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
MLG1608B8N2DT000

MLG1608B8N2DT000

ნაწილი საფონდო: 3272

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
MLG1608B68NJT000

MLG1608B68NJT000

ნაწილი საფონდო: 169156

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
MLG1608B56NJT000

MLG1608B56NJT000

ნაწილი საფონდო: 3230

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 56nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
MLG1608B4N7ST000

MLG1608B4N7ST000

ნაწილი საფონდო: 3210

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
CPL2512TR15M

CPL2512TR15M

ნაწილი საფონდო: 3545

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.4A,

სასურველი
MLG1608B33NJT000

MLG1608B33NJT000

ნაწილი საფონდო: 3260

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
MLG1608B1N5ST000

MLG1608B1N5ST000

ნაწილი საფონდო: 3225

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი