ფიქსირებული ინდუქტორები

MLG1608SR27JTD25

MLG1608SR27JTD25

ნაწილი საფონდო: 910

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 270nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
MLG0603Q24NJ

MLG0603Q24NJ

ნაწილი საფონდო: 1301

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 24nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,

სასურველი
MLG0603Q91NJ

MLG0603Q91NJ

ნაწილი საფონდო: 1257

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 91nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 60mA,

სასურველი
MLG1608SR15JTD25

MLG1608SR15JTD25

ნაწილი საფონდო: 1020

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
GLF1608T4R7M

GLF1608T4R7M

ნაწილი საფონდო: 193030

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA, მიმდინარე - სატურაცია: 70mA,

სასურველი
NLHV25T-R15J-PF

NLHV25T-R15J-PF

ნაწილი საფონდო: 1240

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
MLG0603Q0N3C

MLG0603Q0N3C

ნაწილი საფონდო: 1284

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
MLG1608SR68JTD25

MLG1608SR68JTD25

ნაწილი საფონდო: 1136

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA,

სასურველი
MLG1608SR12JTD25

MLG1608SR12JTD25

ნაწილი საფონდო: 1139

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 120nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
MLF1005L2R2K

MLF1005L2R2K

ნაწილი საფონდო: 166745

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 15mA,

სასურველი
NLHV25T-R22J-PF

NLHV25T-R22J-PF

ნაწილი საფონდო: 1088

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,

სასურველი
MLF1005L1R0K

MLF1005L1R0K

ნაწილი საფონდო: 178754

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 35mA,

სასურველი
NLHV25T-R33J-PF

NLHV25T-R33J-PF

ნაწილი საფონდო: 9129

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
MLG0603Q2N5S

MLG0603Q2N5S

ნაწილი საფონდო: 1266

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.5nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,

სასურველი
MLF1005LR18K

MLF1005LR18K

ნაწილი საფონდო: 107370

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 180nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA,

სასურველი
MLF1005LR27K

MLF1005LR27K

ნაწილი საფონდო: 165775

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 270nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,

სასურველი
MLF1005L1R8K

MLF1005L1R8K

ნაწილი საფონდო: 127130

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 20mA,

სასურველი
MLG0603Q0N5C

MLG0603Q0N5C

ნაწილი საფონდო: 1336

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.5nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
MLG1608SR56JT000

MLG1608SR56JT000

ნაწილი საფონდო: 116265

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA,

სასურველი
MLF1005AR82KT

MLF1005AR82KT

ნაწილი საფონდო: 936

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 10mA,

სასურველი
MLG0603Q2N0S

MLG0603Q2N0S

ნაწილი საფონდო: 1143

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
MLG0603Q30NJ

MLG0603Q30NJ

ნაწილი საფონდო: 1259

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 30nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,

სასურველი
CLF10040T-4R7N-H

CLF10040T-4R7N-H

ნაწილი საფონდო: 109598

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.2A,

სასურველი
CLF10040T-2R2N-H

CLF10040T-2R2N-H

ნაწილი საფონდო: 109566

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 7.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 5A,

სასურველი
VLP4610T-1R8M1R0

VLP4610T-1R8M1R0

ნაწილი საფონდო: 9549

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.36A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.09A,

სასურველი
GLFR1608T150M-LRHF

GLFR1608T150M-LRHF

ნაწილი საფონდო: 9005

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA, მიმდინარე - სატურაცია: 55mA,

სასურველი
VLP4610T-6R8MR55

VLP4610T-6R8MR55

ნაწილი საფონდო: 9605

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 690mA, მიმდინარე - სატურაცია: 550mA,

სასურველი
GLFR1608T2R2M-LRHF

GLFR1608T2R2M-LRHF

ნაწილი საფონდო: 8958

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA, მიმდინარე - სატურაცია: 160mA,

სასურველი
GLFR1608T101K-LR

GLFR1608T101K-LR

ნაწილი საფონდო: 9571

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 80mA, მიმდინარე - სატურაცია: 15mA,

სასურველი
GLFR1608T680M-LRHF

GLFR1608T680M-LRHF

ნაწილი საფონდო: 9551

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 90mA, მიმდინარე - სატურაცია: 20mA,

სასურველი
GLFR1608T3R3M-LRHF

GLFR1608T3R3M-LRHF

ნაწილი საფონდო: 9537

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 525mA, მიმდინარე - სატურაცია: 120mA,

სასურველი
GLFR1608T100K-LR

GLFR1608T100K-LR

ნაწილი საფონდო: 9572

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA, მიმდინარე - სატურაცია: 80mA,

სასურველი
VLP4610T-100MR46

VLP4610T-100MR46

ნაწილი საფონდო: 9532

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 580mA, მიმდინარე - სატურაცია: 460mA,

სასურველი
VLP4610T-4R7MR66

VLP4610T-4R7MR66

ნაწილი საფონდო: 9969

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 830mA, მიმდინარე - სატურაცია: 660mA,

სასურველი
GLFR1608T4R7M-LRHF

GLFR1608T4R7M-LRHF

ნაწილი საფონდო: 9595

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA, მიმდინარე - სატურაცია: 110mA,

სასურველი
GLFR1608T470M-LRHF

GLFR1608T470M-LRHF

ნაწილი საფონდო: 9598

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA, მიმდინარე - სატურაცია: 35mA,

სასურველი