ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.8nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 30mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA, მიმდინარე - სატურაცია: 35mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 27nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.8nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 4nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.6nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 56nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 60mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.9nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 35mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 12µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 15mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 45mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 4nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.8nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.8nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 4nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.8nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 62nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 60mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 11nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.3nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 5nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA, მიმდინარე - სატურაცია: 50mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.4nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 40mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.4nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 180nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 9.1nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 90mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
