ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 30nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 27nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.9nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.8nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.4nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.8nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 770mA, მიმდინარე - სატურაცია: 610mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 580mA, მიმდინარე - სატურაცია: 580mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 6.2nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.7nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 6.2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.1nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.9nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 2A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.35A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.35A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 310mA, მიმდინარე - სატურაცია: 310mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 590mA, მიმდინარე - სატურაცია: 490mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.1nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.4nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA, მიმდინარე - სატურაცია: 610mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 240nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 6.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.25A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 360mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.75A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.75A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 40mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 980mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.25A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.9A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.6nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 470mA, მიმდინარე - სატურაცია: 470mA,
