ფიქსირებული ინდუქტორები

NLFV32T-681K-EFT

NLFV32T-681K-EFT

ნაწილი საფონდო: 111827

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 25mA,

სასურველი
MLP2520K1R0ST

MLP2520K1R0ST

ნაწილი საფონდო: 116611

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.3A,

სასურველი
VLS2012ET-1R5N

VLS2012ET-1R5N

ნაწილი საფონდო: 145496

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.2A,

სასურველი
NLFV32T-1R0M-EFT

NLFV32T-1R0M-EFT

ნაწილი საფონდო: 167591

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,

სასურველი
VLS252010HBX-1R0M-1

VLS252010HBX-1R0M-1

ნაწილი საფონდო: 129351

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.55A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.22A,

სასურველი
VLS252010HBX-2R2M-1

VLS252010HBX-2R2M-1

ნაწილი საფონდო: 144181

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.76A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.3A,

სასურველი
MHQ0603P6N2ST000

MHQ0603P6N2ST000

ნაწილი საფონდო: 191111

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 6.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
VLS3012CX-220M-1

VLS3012CX-220M-1

ნაწილი საფონდო: 8650

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 780mA, მიმდინარე - სატურაცია: 560mA,

სასურველი
MLP2520W3R3MT0S1

MLP2520W3R3MT0S1

ნაწილი საფონდო: 104331

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,

სასურველი
MHQ0603P16NJT000

MHQ0603P16NJT000

ნაწილი საფონდო: 143318

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 16nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
VLS201610HBX-R47M-1

VLS201610HBX-R47M-1

ნაწილი საფონდო: 165494

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.81A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.5A,

სასურველი
MHQ0603P1N8ST000

MHQ0603P1N8ST000

ნაწილი საფონდო: 153194

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.8nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
MLP2520S2R2MT0S1

MLP2520S2R2MT0S1

ნაწილი საფონდო: 165666

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,

სასურველი
NLFV32T-100K-EF

NLFV32T-100K-EF

ნაწილი საფონდო: 111929

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
MHQ0603P1N3ST000

MHQ0603P1N3ST000

ნაწილი საფონდო: 128815

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი
NLFV32T-3R3M-EFT

NLFV32T-3R3M-EFT

ნაწილი საფონდო: 134157

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 420mA,

სასურველი
MHQ0603P1N4ST000

MHQ0603P1N4ST000

ნაწილი საფონდო: 133800

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.4nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი
MLP2520K1R0MT

MLP2520K1R0MT

ნაწილი საფონდო: 151478

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.3A,

სასურველი
NLFV32T-330K-EF

NLFV32T-330K-EF

ნაწილი საფონდო: 158809

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 95mA,

სასურველი
VLS201610HBX-R33M-1

VLS201610HBX-R33M-1

ნაწილი საფონდო: 134630

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.85A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.42A,

სასურველი
MLP2520K1R0MT0S1

MLP2520K1R0MT0S1

ნაწილი საფონდო: 135638

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.3A,

სასურველი
MLP2520S3R3MT0S1

MLP2520S3R3MT0S1

ნაწილი საფონდო: 126413

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
MLP2520V2R2ST0S1

MLP2520V2R2ST0S1

ნაწილი საფონდო: 101933

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A,

სასურველი
VLS2012ET-100M

VLS2012ET-100M

ნაწილი საფონდო: 130905

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 470mA, მიმდინარე - სატურაცია: 470mA,

სასურველი
NLFV32T-101K-EF

NLFV32T-101K-EF

ნაწილი საფონდო: 199704

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 55mA,

სასურველი
VLS201610HBX-4R7M-1

VLS201610HBX-4R7M-1

ნაწილი საფონდო: 147564

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 810mA,

სასურველი
MLP2520V2R2MT0S1

MLP2520V2R2MT0S1

ნაწილი საფონდო: 148641

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A,

სასურველი
MHQ0603P3N2ST000

MHQ0603P3N2ST000

ნაწილი საფონდო: 127250

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 550mA,

სასურველი
MLP2520V1R0MT0S1

MLP2520V1R0MT0S1

ნაწილი საფონდო: 174010

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A,

სასურველი
MHQ0603P2N4ST000

MHQ0603P2N4ST000

ნაწილი საფონდო: 174262

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.4nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
MLP2520H4R7ST

MLP2520H4R7ST

ნაწილი საფონდო: 141538

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
NLFV32T-220K-EFT

NLFV32T-220K-EFT

ნაწილი საფონდო: 105847

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA,

სასურველი
VLS2012ET-4R7M

VLS2012ET-4R7M

ნაწილი საფონდო: 181777

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA, მიმდინარე - სატურაცია: 700mA,

სასურველი
NLFV32T-151K-EF

NLFV32T-151K-EF

ნაწილი საფონდო: 128133

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 50mA,

სასურველი
MHQ0603P5N6ST000

MHQ0603P5N6ST000

ნაწილი საფონდო: 119489

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,

სასურველი
NLFV32T-331K-EF

NLFV32T-331K-EF

ნაწილი საფონდო: 167436

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 35mA,

სასურველი