ფიქსირებული ინდუქტორები

MLP2520S4R7MT0S1

MLP2520S4R7MT0S1

ნაწილი საფონდო: 186191

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
VLS201610HBX-6R8M-1

VLS201610HBX-6R8M-1

ნაწილი საფონდო: 169373

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 880mA, მიმდინარე - სატურაცია: 700mA,

სასურველი
MLP2520V1R5MT0S1

MLP2520V1R5MT0S1

ნაწილი საფონდო: 149595

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,

სასურველი
MLP2520S100ST0S1

MLP2520S100ST0S1

ნაწილი საფონდო: 172700

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
NLFV32T-102K-EF

NLFV32T-102K-EF

ნაწილი საფონდო: 135773

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 20mA,

სასურველი
MHQ0603P3N5ST000

MHQ0603P3N5ST000

ნაწილი საფონდო: 143634

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.5nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
MHQ0603P5N1ST000

MHQ0603P5N1ST000

ნაწილი საფონდო: 184939

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 5.1nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,

სასურველი
MHQ0603P3N1ST000

MHQ0603P3N1ST000

ნაწილი საფონდო: 129067

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.1nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,

სასურველი
VLS2012ET-R68N

VLS2012ET-R68N

ნაწილი საფონდო: 110627

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.7A,

სასურველი
VLS252010ET-100M

VLS252010ET-100M

ნაწილი საფონდო: 172657

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 550mA, მიმდინარე - სატურაცია: 560mA,

სასურველი
MHQ0603P4N3ST000

MHQ0603P4N3ST000

ნაწილი საფონდო: 117712

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
VLS201610HBX-2R2M-1

VLS201610HBX-2R2M-1

ნაწილი საფონდო: 105598

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.45A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.7A,

სასურველი
VLS252010HBX-100M-1

VLS252010HBX-100M-1

ნაწილი საფონდო: 193829

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 950mA, მიმდინარე - სატურაცია: 680mA,

სასურველი
MHQ0603P0N7CT000

MHQ0603P0N7CT000

ნაწილი საფონდო: 151280

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.7nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
MHQ0603P3N3ST000

MHQ0603P3N3ST000

ნაწილი საფონდო: 115282

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
VLS252012ET-1R0N

VLS252012ET-1R0N

ნაწილი საფონდო: 186229

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.2A,

სასურველი
MLP2520WR68MT0S1

MLP2520WR68MT0S1

ნაწილი საფონდო: 173391

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.8A,

სასურველი
MLZ2012N150LT000

MLZ2012N150LT000

ნაწილი საფონდო: 158942

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA, მიმდინარე - სატურაცია: 90mA,

სასურველი
VLS252010HBX-4R7M-1

VLS252010HBX-4R7M-1

ნაწილი საფონდო: 187950

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.09A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.6A,

სასურველი
VLS201610HBX-3R3M-1

VLS201610HBX-3R3M-1

ნაწილი საფონდო: 127814

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.02A,

სასურველი
MLP2520S100MT0S1

MLP2520S100MT0S1

ნაწილი საფონდო: 135424

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
MHQ0603P2N9ST000

MHQ0603P2N9ST000

ნაწილი საფონდო: 153522

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.9nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,

სასურველი
VLS3012ET-4R7M

VLS3012ET-4R7M

ნაწილი საფონდო: 150772

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 950mA, მიმდინარე - სატურაცია: 950mA,

სასურველი
NLFV32T-3R3M-EF

NLFV32T-3R3M-EF

ნაწილი საფონდო: 187113

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 420mA,

სასურველი
MLP2520K1R0ST0S1

MLP2520K1R0ST0S1

ნაწილი საფონდო: 175180

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.3A,

სასურველი
NLFV32T-150K-EFT

NLFV32T-150K-EFT

ნაწილი საფონდო: 177647

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,

სასურველი
NLFV32T-331K-EFT

NLFV32T-331K-EFT

ნაწილი საფონდო: 184812

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 35mA,

სასურველი
MLP2520V3R3MT

MLP2520V3R3MT

ნაწილი საფონდო: 133021

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA,

სასურველი
VLS201612HBX-R47M-1

VLS201612HBX-R47M-1

ნაწილი საფონდო: 177938

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.78A,

სასურველი
MLP2012HR54MT

MLP2012HR54MT

ნაწილი საფონდო: 103992

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 540nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A,

სასურველი
MLG0402Q1N7BT000

MLG0402Q1N7BT000

ნაწილი საფონდო: 186225

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
MLD2016S4R7MTD25

MLD2016S4R7MTD25

ნაწილი საფონდო: 179360

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,

სასურველი
MLG0402P22NHT000

MLG0402P22NHT000

ნაწილი საფონდო: 193280

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
MLG0402Q1N8BT000

MLG0402Q1N8BT000

ნაწილი საფონდო: 123039

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.8nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
MLG0402Q0N5BT000

MLG0402Q0N5BT000

ნაწილი საფონდო: 168148

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.5nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,

სასურველი
MLP2012SR47MT0S1

MLP2012SR47MT0S1

ნაწილი საფონდო: 178214

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,

სასურველი