ფიქსირებული ინდუქტორები

MLP2016H1R0MT0S1

MLP2016H1R0MT0S1

ნაწილი საფონდო: 133147

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A,

სასურველი
MLG0402Q4N0BT000

MLG0402Q4N0BT000

ნაწილი საფონდო: 167289

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 4nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
MLP2012H2R2MT0S1

MLP2012H2R2MT0S1

ნაწილი საფონდო: 175154

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
MLG0402Q1N2CT000

MLG0402Q1N2CT000

ნაწილი საფონდო: 176358

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
MLG0402P0N9BT000

MLG0402P0N9BT000

ნაწილი საფონდო: 189834

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.9nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,

სასურველი
MLG0402P0N8BT000

MLG0402P0N8BT000

ნაწილი საფონდო: 173089

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.8nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,

სასურველი
MLG0402Q5N6HT000

MLG0402Q5N6HT000

ნაწილი საფონდო: 165176

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,

სასურველი
MLG0402Q22NHT000

MLG0402Q22NHT000

ნაწილი საფონდო: 186790

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 130mA,

სასურველი
MLG0402P2N7BT000

MLG0402P2N7BT000

ნაწილი საფონდო: 116877

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
MLG0402Q2N2CT000

MLG0402Q2N2CT000

ნაწილი საფონდო: 135523

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
MLG0402Q3N1CT000

MLG0402Q3N1CT000

ნაწილი საფონდო: 136349

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.1nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
MLG0402P1N4BT000

MLG0402P1N4BT000

ნაწილი საფონდო: 198181

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.4nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
MLG0402P1N8BT000

MLG0402P1N8BT000

ნაწილი საფონდო: 197996

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.8nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
MLG0402P0N6BT000

MLG0402P0N6BT000

ნაწილი საფონდო: 137317

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.6nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,

სასურველი
MLP2012SR82T

MLP2012SR82T

ნაწილი საფონდო: 169657

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,

სასურველი
MLP2012S4R7MT0S1

MLP2012S4R7MT0S1

ნაწილი საფონდო: 199662

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
MLP2012H1R5MT

MLP2012H1R5MT

ნაწილი საფონდო: 186281

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A,

სასურველი
MLG0402Q9N1HT000

MLG0402Q9N1HT000

ნაწილი საფონდო: 128350

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 9.1nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,

სასურველი
MLG0402P4N0BT000

MLG0402P4N0BT000

ნაწილი საფონდო: 191538

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 4nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
MLP2012S3R3MT0S1

MLP2012S3R3MT0S1

ნაწილი საფონდო: 124970

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA,

სასურველი
MLG0402Q6N8HT000

MLG0402Q6N8HT000

ნაწილი საფონდო: 125676

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,

სასურველი
MLP2012V4R7MT0S1

MLP2012V4R7MT0S1

ნაწილი საფონდო: 163945

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
MLG0402P0N4BT000

MLG0402P0N4BT000

ნაწილი საფონდო: 183142

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.4nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,

სასურველი
NLCV25T-4R7M-EFRD

NLCV25T-4R7M-EFRD

ნაწილი საფონდო: 148288

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
NLCV25T-R68M-PFRD

NLCV25T-R68M-PFRD

ნაწილი საფონდო: 135167

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.26A,

სასურველი
MLG0402Q3N7BT000

MLG0402Q3N7BT000

ნაწილი საფონდო: 195713

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
MLG0402Q2N6BT000

MLG0402Q2N6BT000

ნაწილი საფონდო: 183691

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.6nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
MLP2016HR47MT0S1

MLP2016HR47MT0S1

ნაწილი საფონდო: 107024

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A,

სასურველი
MLP2012V2R2MT0S1

MLP2012V2R2MT0S1

ნაწილი საფონდო: 164768

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
MLG0402Q3N7CT000

MLG0402Q3N7CT000

ნაწილი საფონდო: 138700

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.7nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
MLG0402Q15NHT000

MLG0402Q15NHT000

ნაწილი საფონდო: 199363

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,

სასურველი
MLG0402P4N7HT000

MLG0402P4N7HT000

ნაწილი საფონდო: 139153

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,

სასურველი
MLG0402P1N9BT000

MLG0402P1N9BT000

ნაწილი საფონდო: 197856

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.9nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
MLG0402P3N9BT000

MLG0402P3N9BT000

ნაწილი საფონდო: 123039

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
MLG0402P2N9BT000

MLG0402P2N9BT000

ნაწილი საფონდო: 139999

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.9nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
MLG0402Q2N3BT000

MLG0402Q2N3BT000

ნაწილი საფონდო: 173421

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი