ფიქსირებული ინდუქტორები

MHQ0603P7N5JT000

MHQ0603P7N5JT000

ნაწილი საფონდო: 102762

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 7.5nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
MLP2520V3R3MT0S1

MLP2520V3R3MT0S1

ნაწილი საფონდო: 137234

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA,

სასურველი
MHQ0603P3N0ST000

MHQ0603P3N0ST000

ნაწილი საფონდო: 135800

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,

სასურველი
VLS201610HBX-R68M-1

VLS201610HBX-R68M-1

ნაწილი საფონდო: 167701

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.47A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.1A,

სასურველი
MLZ2012N1R5LT000

MLZ2012N1R5LT000

ნაწილი საფონდო: 107205

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA, მიმდინარე - სატურაცია: 190mA,

სასურველი
MLP2520VR47MT

MLP2520VR47MT

ნაწილი საფონდო: 110383

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,

სასურველი
VLS252010HBX-R68M-1

VLS252010HBX-R68M-1

ნაწილი საფონდო: 132457

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.98A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.62A,

სასურველი
MLP2520V1R0MT

MLP2520V1R0MT

ნაწილი საფონდო: 116499

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A,

სასურველი
VLS2012ET-6R8M

VLS2012ET-6R8M

ნაწილი საფონდო: 153567

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 570mA, მიმდინარე - სატურაცია: 570mA,

სასურველი
MLP2520HR47MT

MLP2520HR47MT

ნაწილი საფონდო: 110742

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.1A,

სასურველი
MHQ0603P15NJT000

MHQ0603P15NJT000

ნაწილი საფონდო: 123485

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
MHQ0603P0N6CT000

MHQ0603P0N6CT000

ნაწილი საფონდო: 126362

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.6nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
VLS201610CX-R24M-1

VLS201610CX-R24M-1

ნაწილი საფონდო: 55951

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 240nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.08A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.91A,

სასურველი
MHQ0603P1N5ST000

MHQ0603P1N5ST000

ნაწილი საფონდო: 107857

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი
MLP2520H2R2ST

MLP2520H2R2ST

ნაწილი საფონდო: 196215

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,

სასურველი
MHQ0603P12NJT000

MHQ0603P12NJT000

ნაწილი საფონდო: 109174

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,

სასურველი
MHQ0603P10NJT000

MHQ0603P10NJT000

ნაწილი საფონდო: 190797

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,

სასურველი
VLS252012ET-100M

VLS252012ET-100M

ნაწილი საფონდო: 168525

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 590mA, მიმდინარე - სატურაცია: 730mA,

სასურველი
VLS2012ET-R47N

VLS2012ET-R47N

ნაწილი საფონდო: 135983

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.05A,

სასურველი
MHQ0603P2N2ST000

MHQ0603P2N2ST000

ნაწილი საფონდო: 131472

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
MHQ0603P30NJT000

MHQ0603P30NJT000

ნაწილი საფონდო: 123742

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 30nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,

სასურველი
MLP2520S1R5MT0S1

MLP2520S1R5MT0S1

ნაწილი საფონდო: 158129

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,

სასურველი
MHQ0603P4N0ST000

MHQ0603P4N0ST000

ნაწილი საფონდო: 180424

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 4nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
MHQ0603P0N8CT000

MHQ0603P0N8CT000

ნაწილი საფონდო: 178987

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.8nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
MLP2520VR47MT0S1

MLP2520VR47MT0S1

ნაწილი საფონდო: 155484

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A,

სასურველი
MHQ0603P20NJT000

MHQ0603P20NJT000

ნაწილი საფონდო: 156919

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 20nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,

სასურველი
VLS252010HBX-1R5M-1

VLS252010HBX-1R5M-1

ნაწილი საფონდო: 137746

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.02A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.7A,

სასურველი
VLS2010ET-150M

VLS2010ET-150M

ნაწილი საფონდო: 163905

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA, მიმდინარე - სატურაცია: 400mA,

სასურველი
VLS2012ET-150M

VLS2012ET-150M

ნაწილი საფონდო: 120222

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA, მიმდინარე - სატურაცია: 400mA,

სასურველი
NLFV32T-680K-EFT

NLFV32T-680K-EFT

ნაწილი საფონდო: 111936

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA,

სასურველი
MHQ0603P0N9CT000

MHQ0603P0N9CT000

ნაწილი საფონდო: 170570

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 0.9nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
MLP2520V1R5ST

MLP2520V1R5ST

ნაწილი საფონდო: 164291

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,

სასურველი
MHQ0603P1N7ST000

MHQ0603P1N7ST000

ნაწილი საფონდო: 166255

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი
MLP2520V1R5MT

MLP2520V1R5MT

ნაწილი საფონდო: 125471

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,

სასურველი
MHQ0603P1N1ST000

MHQ0603P1N1ST000

ნაწილი საფონდო: 132546

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.1nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
VLS252008ET-4R7M

VLS252008ET-4R7M

ნაწილი საფონდო: 111196

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 590mA, მიმდინარე - სატურაცია: 610mA,

სასურველი