ფიქსირებული ინდუქტორები

NLFV32T-151K-EFT

NLFV32T-151K-EFT

ნაწილი საფონდო: 164339

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 50mA,

სასურველი
NLFV32T-6R8M-EF

NLFV32T-6R8M-EF

ნაწილი საფონდო: 107222

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,

სასურველი
MLP2520H2R2MT0S1

MLP2520H2R2MT0S1

ნაწილი საფონდო: 134472

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A,

სასურველი
MHQ0603P2N0ST000

MHQ0603P2N0ST000

ნაწილი საფონდო: 112955

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
MHQ0603P2N1ST000

MHQ0603P2N1ST000

ნაწილი საფონდო: 120957

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.1nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
MLP2520H3R3MT0S1

MLP2520H3R3MT0S1

ნაწილი საფონდო: 177915

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A,

სასურველი
NLFV32T-470K-EF

NLFV32T-470K-EF

ნაწილი საფონდო: 199952

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 90mA,

სასურველი
MHQ0603P1N0ST000

MHQ0603P1N0ST000

ნაწილი საფონდო: 127871

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 1nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
VLS252012HBX-R47M-1

VLS252012HBX-R47M-1

ნაწილი საფონდო: 165928

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 4A,

სასურველი
NLFV32T-1R0M-EF

NLFV32T-1R0M-EF

ნაწილი საფონდო: 118383

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,

სასურველი
MHQ0603P24NJT000

MHQ0603P24NJT000

ნაწილი საფონდო: 174127

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 24nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,

სასურველი
MLP2520V2R2MT

MLP2520V2R2MT

ნაწილი საფონდო: 127651

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A,

სასურველი
NLFV32T-2R2M-EFT

NLFV32T-2R2M-EFT

ნაწილი საფონდო: 111449

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
NLFV32T-680K-EF

NLFV32T-680K-EF

ნაწილი საფონდო: 143045

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA,

სასურველი
VLS201612HBX-100M-1

VLS201612HBX-100M-1

ნაწილი საფონდო: 138680

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 760mA, მიმდინარე - სატურაცია: 670mA,

სასურველი
MHQ0603P3N8ST000

MHQ0603P3N8ST000

ნაწილი საფონდო: 103103

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.8nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,

სასურველი
VLS2010ET-6R8M

VLS2010ET-6R8M

ნაწილი საფონდო: 144871

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 570mA, მიმდინარე - სატურაცია: 570mA,

სასურველი
NLFV32T-471K-EFT

NLFV32T-471K-EFT

ნაწილი საფონდო: 120261

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 30mA,

სასურველი
VLS252012HBX-4R7M-1

VLS252012HBX-4R7M-1

ნაწილი საფონდო: 114846

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.55A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.4A,

სასურველი
NLFV32T-1R5M-EFT

NLFV32T-1R5M-EFT

ნაწილი საფონდო: 143103

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
MLP2520V4R7MT0S1

MLP2520V4R7MT0S1

ნაწილი საფონდო: 110556

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი
MHQ0603P22NJT000

MHQ0603P22NJT000

ნაწილი საფონდო: 179106

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,

სასურველი
MLP2520V1R0ST0S1

MLP2520V1R0ST0S1

ნაწილი საფონდო: 116532

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A,

სასურველი
MLP2012R1R0MT0S1

MLP2012R1R0MT0S1

ნაწილი საფონდო: 135705

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
MHQ0603P4N1ST000

MHQ0603P4N1ST000

ნაწილი საფონდო: 112525

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.1nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
MHQ0603P36NJT000

MHQ0603P36NJT000

ნაწილი საფონდო: 166500

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 36nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,

სასურველი
VLS252012HBX-1R5M-1

VLS252012HBX-1R5M-1

ნაწილი საფონდო: 152999

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.75A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.5A,

სასურველი
MHQ0603P18NJT000

MHQ0603P18NJT000

ნაწილი საფონდო: 142914

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
MLP2520S4R7ST0S1

MLP2520S4R7ST0S1

ნაწილი საფონდო: 139136

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
VLS252008ET-100M

VLS252008ET-100M

ნაწილი საფონდო: 183409

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 410mA, მიმდინარე - სატურაცია: 430mA,

სასურველი
MLP2520V1R5ST0S1

MLP2520V1R5ST0S1

ნაწილი საფონდო: 105096

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,

სასურველი
MHQ0603P4N2ST000

MHQ0603P4N2ST000

ნაწილი საფონდო: 190155

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
MLP2520H1R0ST0S1

MLP2520H1R0ST0S1

ნაწილი საფონდო: 185176

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,

სასურველი
MHQ0603P1N6ST000

MHQ0603P1N6ST000

ნაწილი საფონდო: 180411

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.6nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი
VLS3012ET-330M

VLS3012ET-330M

ნაწილი საფონდო: 169387

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 370mA, მიმდინარე - სატურაცია: 370mA,

სასურველი
MLP2520V1R0ST

MLP2520V1R0ST

ნაწილი საფონდო: 137502

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A,

სასურველი