ფიქსირებული ინდუქტორები

MLP2520HR47MT0S1

MLP2520HR47MT0S1

ნაწილი საფონდო: 111081

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.1A,

სასურველი
MLP2520W1R0MT0S1

MLP2520W1R0MT0S1

ნაწილი საფონდო: 153533

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.3A,

სასურველი
NLFV32T-6R8M-EFT

NLFV32T-6R8M-EFT

ნაწილი საფონდო: 181459

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,

სასურველი
VLS252012HBX-2R2M-1

VLS252012HBX-2R2M-1

ნაწილი საფონდო: 111186

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.04A,

სასურველი
NLFV32T-4R7M-EF

NLFV32T-4R7M-EF

ნაწილი საფონდო: 111878

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 360mA,

სასურველი
NLFV32T-220K-EF

NLFV32T-220K-EF

ნაწილი საფონდო: 130894

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA,

სასურველი
MHQ0603P2N7ST000

MHQ0603P2N7ST000

ნაწილი საფონდო: 186381

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
MHQ0603P4N7ST000

MHQ0603P4N7ST000

ნაწილი საფონდო: 178536

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,

სასურველი
MLP2520H3R3MT

MLP2520H3R3MT

ნაწილი საფონდო: 148026

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A,

სასურველი
NLFV32T-101K-EFT

NLFV32T-101K-EFT

ნაწილი საფონდო: 185831

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 55mA,

სასურველი
NLFV32T-471K-EF

NLFV32T-471K-EF

ნაწილი საფონდო: 184249

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 30mA,

სასურველი
VLS2010ET-3R3M

VLS2010ET-3R3M

ნაწილი საფონდო: 164722

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 830mA, მიმდინარე - სატურაცია: 830mA,

სასურველი
MHQ0603P2N5ST000

MHQ0603P2N5ST000

ნაწილი საფონდო: 126369

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.5nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
NLFV32T-681K-EF

NLFV32T-681K-EF

ნაწილი საფონდო: 188023

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 25mA,

სასურველი
MHQ0603P1N9ST000

MHQ0603P1N9ST000

ნაწილი საფონდო: 193662

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.9nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
MHQ0603P33NJT000

MHQ0603P33NJT000

ნაწილი საფონდო: 111538

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,

სასურველი
VLS3012ET-2R2M

VLS3012ET-2R2M

ნაწილი საფონდო: 132865

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.35A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.35A,

სასურველი
VLS201610HBX-R24M-1

VLS201610HBX-R24M-1

ნაწილი საფონდო: 153406

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 240nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.82A,

სასურველი
VLS201612CX-6R8M-1

VLS201612CX-6R8M-1

ნაწილი საფონდო: 86

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 930mA, მიმდინარე - სატურაცია: 730mA,

სასურველი
MLP2520H1R0MT

MLP2520H1R0MT

ნაწილი საფონდო: 164913

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,

სასურველი
MHQ0603P3N6ST000

MHQ0603P3N6ST000

ნაწილი საფონდო: 149624

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.6nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
MHQ0603P3N9ST000

MHQ0603P3N9ST000

ნაწილი საფონდო: 179748

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
VLS201610CX-2R2M-1

VLS201610CX-2R2M-1

ნაწილი საფონდო: 13211

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.53A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.31A,

სასურველი
MHQ0603P1N2ST000

MHQ0603P1N2ST000

ნაწილი საფონდო: 121867

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
MHQ0603P3N7ST000

MHQ0603P3N7ST000

ნაწილი საფონდო: 146918

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,

სასურველი
MLP2520H2R2ST0S1

MLP2520H2R2ST0S1

ნაწილი საფონდო: 128223

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,

სასურველი
MLP2520S1R0ST0S1

MLP2520S1R0ST0S1

ნაწილი საფონდო: 155695

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,

სასურველი
MLP2520S2R2ST0S1

MLP2520S2R2ST0S1

ნაწილი საფონდო: 184832

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,

სასურველი
MHQ0603P27NJT000

MHQ0603P27NJT000

ნაწილი საფონდო: 119912

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 27nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,

სასურველი
MHQ0603P11NJT000

MHQ0603P11NJT000

ნაწილი საფონდო: 174040

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, Non-Magnetic, ინდუქცია: 11nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,

სასურველი
NLFV32T-102K-EFT

NLFV32T-102K-EFT

ნაწილი საფონდო: 142088

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 20mA,

სასურველი
NLFV32T-1R5M-EF

NLFV32T-1R5M-EF

ნაწილი საფონდო: 103776

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
VLS252010HBX-R33M-1

VLS252010HBX-R33M-1

ნაწილი საფონდო: 155981

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Metal, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.74A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.03A,

სასურველი
MLP2520S3R3ST0S1

MLP2520S3R3ST0S1

ნაწილი საფონდო: 148680

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
MLP2520H4R7MT0S1

MLP2520H4R7MT0S1

ნაწილი საფონდო: 116713

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
MLP2520W2R2MT0S1

MLP2520W2R2MT0S1

ნაწილი საფონდო: 120266

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,

სასურველი