ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T04021A4750DBHF3

9T04021A4750DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8405

წინააღმდეგობა: 475 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4700DBHF3

9T04021A4700DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8387

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4300DBHF3

9T04021A4300DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8389

წინააღმდეგობა: 430 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4320DBHF3

9T04021A4320DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8347

წინააღმდეგობა: 432 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3920DBHF3

9T04021A3920DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8351

წინააღმდეგობა: 392 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3900DBHF3

9T04021A3900DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8318

წინააღმდეგობა: 390 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4120DBHF3

9T04021A4120DBHF3

ნაწილი საფონდო: 3849

წინააღმდეგობა: 412 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4020DBHF3

9T04021A4020DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8367

წინააღმდეგობა: 402 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3600DBHF3

9T04021A3600DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8387

წინააღმდეგობა: 360 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3650DBHF3

9T04021A3650DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8349

წინააღმდეგობა: 365 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3830DBHF3

9T04021A3830DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8306

წინააღმდეგობა: 383 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3480DBHF3

9T04021A3480DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8300

წინააღმდეგობა: 348 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3320DBHF3

9T04021A3320DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8302

წინააღმდეგობა: 332 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3400DBHF3

9T04021A3400DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8309

წინააღმდეგობა: 340 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3570DBHF3

9T04021A3570DBHF3

ნაწილი საფონდო: 3868

წინააღმდეგობა: 357 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3300DBHF3

9T04021A3300DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8305

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3160DBHF3

9T04021A3160DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8300

წინააღმდეგობა: 316 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3240DBHF3

9T04021A3240DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8322

წინააღმდეგობა: 324 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3090DBHF3

9T04021A3090DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8384

წინააღმდეგობა: 309 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3000DBHF3

9T04021A3000DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8330

წინააღმდეგობა: 300 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3010DBHF3

9T04021A3010DBHF3

ნაწილი საფონდო: 3858

წინააღმდეგობა: 301 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2940DBHF3

9T04021A2940DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8345

წინააღმდეგობა: 294 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2870DBHF3

9T04021A2870DBHF3

ნაწილი საფონდო: 3837

წინააღმდეგობა: 287 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2800DBHF3

9T04021A2800DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8293

წინააღმდეგობა: 280 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2700DBHF3

9T04021A2700DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8334

წინააღმდეგობა: 270 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2670DBHF3

9T04021A2670DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8352

წინააღმდეგობა: 267 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2430DBHF3

9T04021A2430DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8324

წინააღმდეგობა: 243 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2610DBHF3

9T04021A2610DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8335

წინააღმდეგობა: 261 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2550DBHF3

9T04021A2550DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8367

წინააღმდეგობა: 255 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2490DBHF3

9T04021A2490DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8331

წინააღმდეგობა: 249 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2320DBHF3

9T04021A2320DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8302

წინააღმდეგობა: 232 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2370DBHF3

9T04021A2370DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8297

წინააღმდეგობა: 237 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2260DBHF3

9T04021A2260DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8326

წინააღმდეგობა: 226 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2400DBHF3

9T04021A2400DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8297

წინააღმდეგობა: 240 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2150DBHF3

9T04021A2150DBHF3

ნაწილი საფონდო: 3877

წინააღმდეგობა: 215 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2210DBHF3

9T04021A2210DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8319

წინააღმდეგობა: 221 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი