ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T04021A2492DBHF3

9T04021A2492DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8475

წინააღმდეგობა: 24.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2432DBHF3

9T04021A2432DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8551

წინააღმდეგობა: 24.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2402DBHF3

9T04021A2402DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8483

წინააღმდეგობა: 24 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2212DBHF3

9T04021A2212DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8502

წინააღმდეგობა: 22.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2322DBHF3

9T04021A2322DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8545

წინააღმდეგობა: 23.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2372DBHF3

9T04021A2372DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8522

წინააღმდეგობა: 23.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2262DBHF3

9T04021A2262DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8516

წინააღმდეგობა: 22.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2202DBHF3

9T04021A2202DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8517

წინააღმდეგობა: 22 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2152DBHF3

9T04021A2152DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8492

წინააღმდეგობა: 21.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2052DBHF3

9T04021A2052DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8542

წინააღმდეგობა: 20.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2102DBHF3

9T04021A2102DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8493

წინააღმდეგობა: 21 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1912DBHF3

9T04021A1912DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8462

წინააღმდეგობა: 19.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2002DBHF3

9T04021A2002DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8537

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1872DBHF3

9T04021A1872DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8501

წინააღმდეგობა: 18.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1962DBHF3

9T04021A1962DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8465

წინააღმდეგობა: 19.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1822DBHF3

9T04021A1822DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8477

წინააღმდეგობა: 18.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1782DBHF3

9T04021A1782DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8529

წინააღმდეგობა: 17.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1802DBHF3

9T04021A1802DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8531

წინააღმდეგობა: 18 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1742DBHF3

9T04021A1742DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8535

წინააღმდეგობა: 17.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1692DBHF3

9T04021A1692DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8448

წინააღმდეგობა: 16.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1652DBHF3

9T04021A1652DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8487

წინააღმდეგობა: 16.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1602DBHF3

9T04021A1602DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8515

წინააღმდეგობა: 16 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1622DBHF3

9T04021A1622DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8516

წინააღმდეგობა: 16.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1502DBHF3

9T04021A1502DBHF3

ნაწილი საფონდო: 3911

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1542DBHF3

9T04021A1542DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8453

წინააღმდეგობა: 15.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1472DBHF3

9T04021A1472DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8505

წინააღმდეგობა: 14.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1582DBHF3

9T04021A1582DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8440

წინააღმდეგობა: 15.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1432DBHF3

9T04021A1432DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8457

წინააღმდეგობა: 14.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1372DBHF3

9T04021A1372DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8467

წინააღმდეგობა: 13.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1402DBHF3

9T04021A1402DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8436

წინააღმდეგობა: 14 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1332DBHF3

9T04021A1332DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8486

წინააღმდეგობა: 13.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1212DBHF3

9T04021A1212DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8506

წინააღმდეგობა: 12.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1272DBHF3

9T04021A1272DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8498

წინააღმდეგობა: 12.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1242DBHF3

9T04021A1242DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8511

წინააღმდეგობა: 12.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1302DBHF3

9T04021A1302DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8484

წინააღმდეგობა: 13 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1182DBHF3

9T04021A1182DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8479

წინააღმდეგობა: 11.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი