ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T04021A5101DBHF3

9T04021A5101DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8426

წინააღმდეგობა: 5.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5111DBHF3

9T04021A5111DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8484

წინააღმდეგობა: 5.11 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5231DBHF3

9T04021A5231DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8466

წინააღმდეგობა: 5.23 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4991DBHF3

9T04021A4991DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8401

წინააღმდეგობა: 4.99 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4641DBHF3

9T04021A4641DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8473

წინააღმდეგობა: 4.64 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4751DBHF3

9T04021A4751DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8459

წინააღმდეგობა: 4.75 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4701DBHF3

9T04021A4701DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8407

წინააღმდეგობა: 4.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4871DBHF3

9T04021A4871DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8412

წინააღმდეგობა: 4.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4531DBHF3

9T04021A4531DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8407

წინააღმდეგობა: 4.53 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4421DBHF3

9T04021A4421DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8398

წინააღმდეგობა: 4.42 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4321DBHF3

9T04021A4321DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8400

წინააღმდეგობა: 4.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3921DBHF3

9T04021A3921DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8473

წინააღმდეგობა: 3.92 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4121DBHF3

9T04021A4121DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8456

წინააღმდეგობა: 4.12 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4221DBHF3

9T04021A4221DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8483

წინააღმდეგობა: 4.22 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4021DBHF3

9T04021A4021DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8387

წინააღმდეგობა: 4.02 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3651DBHF3

9T04021A3651DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8410

წინააღმდეგობა: 3.65 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3831DBHF3

9T04021A3831DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8481

წინააღმდეგობა: 3.83 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3741DBHF3

9T04021A3741DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8431

წინააღმდეგობა: 3.74 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3901DBHF3

9T04021A3901DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8445

წინააღმდეგობა: 3.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3401DBHF3

9T04021A3401DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8429

წინააღმდეგობა: 3.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3481DBHF3

9T04021A3481DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8469

წინააღმდეგობა: 3.48 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3601DBHF3

9T04021A3601DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8444

წინააღმდეგობა: 3.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3571DBHF3

9T04021A3571DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8419

წინააღმდეგობა: 3.57 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3241DBHF3

9T04021A3241DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8404

წინააღმდეგობა: 3.24 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3301DBHF3

9T04021A3301DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8394

წინააღმდეგობა: 3.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3161DBHF3

9T04021A3161DBHF3

ნაწილი საფონდო: 3892

წინააღმდეგობა: 3.16 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3091DBHF3

9T04021A3091DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8419

წინააღმდეგობა: 3.09 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3001DBHF3

9T04021A3001DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8469

წინააღმდეგობა: 3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3011DBHF3

9T04021A3011DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8438

წინააღმდეგობა: 3.01 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2741DBHF3

9T04021A2741DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8468

წინააღმდეგობა: 2.74 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2871DBHF3

9T04021A2871DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8435

წინააღმდეგობა: 2.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2941DBHF3

9T04021A2941DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8445

წინააღმდეგობა: 2.94 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2801DBHF3

9T04021A2801DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8402

წინააღმდეგობა: 2.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2551DBHF3

9T04021A2551DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8386

წინააღმდეგობა: 2.55 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2671DBHF3

9T04021A2671DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8383

წინააღმდეგობა: 2.67 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2701DBHF3

9T04021A2701DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8426

წინააღმდეგობა: 2.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი