ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T04021A2611DBHF3

9T04021A2611DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8380

წინააღმდეგობა: 2.61 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2401DBHF3

9T04021A2401DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8400

წინააღმდეგობა: 2.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2491DBHF3

9T04021A2491DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8465

წინააღმდეგობა: 2.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2431DBHF3

9T04021A2431DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8445

წინააღმდეგობა: 2.43 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2371DBHF3

9T04021A2371DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8421

წინააღმდეგობა: 2.37 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2261DBHF3

9T04021A2261DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8448

წინააღმდეგობა: 2.26 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2211DBHF3

9T04021A2211DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8425

წინააღმდეგობა: 2.21 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2201DBHF3

9T04021A2201DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8404

წინააღმდეგობა: 2.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2101DBHF3

9T04021A2101DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8397

წინააღმდეგობა: 2.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2051DBHF3

9T04021A2051DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8409

წინააღმდეგობა: 2.05 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2151DBHF3

9T04021A2151DBHF3

ნაწილი საფონდო: 3854

წინააღმდეგობა: 2.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2001DBHF3

9T04021A2001DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8433

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1871DBHF3

9T04021A1871DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8365

წინააღმდეგობა: 1.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1821DBHF3

9T04021A1821DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8452

წინააღმდეგობა: 1.82 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1961DBHF3

9T04021A1961DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8419

წინააღმდეგობა: 1.96 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1911DBHF3

9T04021A1911DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8412

წინააღმდეგობა: 1.91 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1801DBHF3

9T04021A1801DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8402

წინააღმდეგობა: 1.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1691DBHF3

9T04021A1691DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8362

წინააღმდეგობა: 1.69 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1741DBHF3

9T04021A1741DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8446

წინააღმდეგობა: 1.74 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1651DBHF3

9T04021A1651DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8432

წინააღმდეგობა: 1.65 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1581DBHF3

9T04021A1581DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8406

წინააღმდეგობა: 1.58 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1621DBHF3

9T04021A1621DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8386

წინააღმდეგობა: 1.62 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1541DBHF3

9T04021A1541DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8405

წინააღმდეგობა: 1.54 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1501DBHF3

9T04021A1501DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8398

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1331DBHF3

9T04021A1331DBHF3

ნაწილი საფონდო: 3844

წინააღმდეგობა: 1.33 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1301DBHF3

9T04021A1301DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8390

წინააღმდეგობა: 1.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1401DBHF3

9T04021A1401DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8391

წინააღმდეგობა: 1.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1371DBHF3

9T04021A1371DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8403

წინააღმდეგობა: 1.37 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1201DBHF3

9T04021A1201DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8353

წინააღმდეგობა: 1.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1241DBHF3

9T04021A1241DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8416

წინააღმდეგობა: 1.24 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1181DBHF3

9T04021A1181DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8372

წინააღმდეგობა: 1.18 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1101DBHF3

9T04021A1101DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8440

წინააღმდეგობა: 1.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1131DBHF3

9T04021A1131DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8362

წინააღმდეგობა: 1.13 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1001DBHF3

9T04021A1001DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8376

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1071DBHF3

9T04021A1071DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8430

წინააღმდეგობა: 1.07 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1051DBHF3

9T04021A1051DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8345

წინააღმდეგობა: 1.05 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი