ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T04021A1132DBHF3

9T04021A1132DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8458

წინააღმდეგობა: 11.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1152DBHF3

9T04021A1152DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8506

წინააღმდეგობა: 11.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1202DBHF3

9T04021A1202DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8523

წინააღმდეგობა: 12 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1072DBHF3

9T04021A1072DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8424

წინააღმდეგობა: 10.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1102DBHF3

9T04021A1102DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8474

წინააღმდეგობა: 11 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1052DBHF3

9T04021A1052DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8461

წინააღმდეგობა: 10.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1022DBHF3

9T04021A1022DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8507

წინააღმდეგობა: 10.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A9761DBHF3

9T04021A9761DBHF3

ნაწილი საფონდო: 3888

წინააღმდეგობა: 9.76 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A9531DBHF3

9T04021A9531DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8517

წინააღმდეგობა: 9.53 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A9091DBHF3

9T04021A9091DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8512

წინააღმდეგობა: 9.09 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8871DBHF3

9T04021A8871DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8425

წინააღმდეგობა: 8.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8661DBHF3

9T04021A8661DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8477

წინააღმდეგობა: 8.66 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A9101DBHF3

9T04021A9101DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8441

წინააღმდეგობა: 9.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8201DBHF3

9T04021A8201DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8505

წინააღმდეგობა: 8.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8251DBHF3

9T04021A8251DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8450

წინააღმდეგობა: 8.25 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8061DBHF3

9T04021A8061DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8485

წინააღმდეგობა: 8.06 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8451DBHF3

9T04021A8451DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8452

წინააღმდეგობა: 8.45 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7321DBHF3

9T04021A7321DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8500

წინააღმდეგობა: 7.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7691DBHF3

9T04021A7691DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8507

წინააღმდეგობა: 7.69 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7871DBHF3

9T04021A7871DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8482

წინააღმდეგობა: 7.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7501DBHF3

9T04021A7501DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8412

წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6981DBHF3

9T04021A6981DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8482

წინააღმდეგობა: 6.98 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6801DBHF3

9T04021A6801DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8455

წინააღმდეგობა: 6.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6811DBHF3

9T04021A6811DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8453

წინააღმდეგობა: 6.81 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7151DBHF3

9T04021A7151DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8445

წინააღმდეგობა: 7.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6341DBHF3

9T04021A6341DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8494

წინააღმდეგობა: 6.34 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6491DBHF3

9T04021A6491DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8445

წინააღმდეგობა: 6.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6201DBHF3

9T04021A6201DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8475

წინააღმდეგობა: 6.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6651DBHF3

9T04021A6651DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8461

წინააღმდეგობა: 6.65 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6041DBHF3

9T04021A6041DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8485

წინააღმდეგობა: 6.04 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6191DBHF3

9T04021A6191DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8471

წინააღმდეგობა: 6.19 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5901DBHF3

9T04021A5901DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8402

წინააღმდეგობა: 5.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5491DBHF3

9T04021A5491DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8470

წინააღმდეგობა: 5.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5621DBHF3

9T04021A5621DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8423

წინააღმდეგობა: 5.62 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5361DBHF3

9T04021A5361DBHF3

ნაწილი საფონდო: 3901

წინააღმდეგობა: 5.36 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5601DBHF3

9T04021A5601DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8443

წინააღმდეგობა: 5.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი