ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T04021A52R3CBHF3

9T04021A52R3CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8651

წინააღმდეგობა: 52.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A53R6CBHF3

9T04021A53R6CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8631

წინააღმდეგობა: 53.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A54R9CBHF3

9T04021A54R9CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8623

წინააღმდეგობა: 54.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A51R1CBHF3

9T04021A51R1CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8583

წინააღმდეგობა: 51.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A48R7CBHF3

9T04021A48R7CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8593

წინააღმდეგობა: 48.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A51R0CBHF3

9T04021A51R0CBHF3

ნაწილი საფონდო: 3895

წინააღმდეგობა: 51 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A49R9CBHF3

9T04021A49R9CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8617

წინააღმდეგობა: 49.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A46R4CBHF3

9T04021A46R4CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8585

წინააღმდეგობა: 46.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A45R3CBHF3

9T04021A45R3CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8655

წინააღმდეგობა: 45.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A47R5CBHF3

9T04021A47R5CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8672

წინააღმდეგობა: 47.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A47R0CBHF3

9T04021A47R0CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8592

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A44R2CBHF3

9T04021A44R2CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8605

წინააღმდეგობა: 44.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A43R2CBHF3

9T04021A43R2CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8648

წინააღმდეგობა: 43.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A43R0CBHF3

9T04021A43R0CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8661

წინააღმდეგობა: 43 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A41R2CBHF3

9T04021A41R2CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8653

წინააღმდეგობა: 41.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A39R0CBHF3

9T04021A39R0CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8575

წინააღმდეგობა: 39 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A40R2CBHF3

9T04021A40R2CBHF3

ნაწილი საფონდო: 3927

წინააღმდეგობა: 40.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A36R5CBHF3

9T04021A36R5CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8660

წინააღმდეგობა: 36.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A38R3CBHF3

9T04021A38R3CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8607

წინააღმდეგობა: 38.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A36R0CBHF3

9T04021A36R0CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8586

წინააღმდეგობა: 36 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A37R4CBHF3

9T04021A37R4CBHF3

ნაწილი საფონდო: 3890

წინააღმდეგობა: 37.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A34R0CBHF3

9T04021A34R0CBHF3

ნაწილი საფონდო: 3917

წინააღმდეგობა: 34 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A33R2CBHF3

9T04021A33R2CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8566

წინააღმდეგობა: 33.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A34R8CBHF3

9T04021A34R8CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8571

წინააღმდეგობა: 34.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A35R7CBHF3

9T04021A35R7CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8599

წინააღმდეგობა: 35.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A32R4CBHF3

9T04021A32R4CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8659

წინააღმდეგობა: 32.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A31R6CBHF3

9T04021A31R6CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8648

წინააღმდეგობა: 31.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A33R0CBHF3

9T04021A33R0CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8614

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A30R9CBHF3

9T04021A30R9CBHF3

ნაწილი საფონდო: 3900

წინააღმდეგობა: 30.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A28R7CBHF3

9T04021A28R7CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8648

წინააღმდეგობა: 28.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A30R0CBHF3

9T04021A30R0CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8635

წინააღმდეგობა: 30 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A30R1CBHF3

9T04021A30R1CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8625

წინააღმდეგობა: 30.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A29R4CBHF3

9T04021A29R4CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8636

წინააღმდეგობა: 29.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A27R4CBHF3

9T04021A27R4CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8649

წინააღმდეგობა: 27.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A28R0CBHF3

9T04021A28R0CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8616

წინააღმდეგობა: 28 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A27R0CBHF3

9T04021A27R0CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8557

წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი