ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T04021A26R7CBHF3

9T04021A26R7CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8598

წინააღმდეგობა: 26.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A24R9CBHF3

9T04021A24R9CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8561

წინააღმდეგობა: 24.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A25R5CBHF3

9T04021A25R5CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8623

წინააღმდეგობა: 25.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A26R1CBHF3

9T04021A26R1CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8563

წინააღმდეგობა: 26.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A24R3CBHF3

9T04021A24R3CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8623

წინააღმდეგობა: 24.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A23R7CBHF3

9T04021A23R7CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8564

წინააღმდეგობა: 23.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A22R6CBHF3

9T04021A22R6CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8587

წინააღმდეგობა: 22.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A23R2CBHF3

9T04021A23R2CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8561

წინააღმდეგობა: 23.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A21R0CBHF3

9T04021A21R0CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8558

წინააღმდეგობა: 21 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A21R5CBHF3

9T04021A21R5CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8613

წინააღმდეგობა: 21.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A22R0CBHF3

9T04021A22R0CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8548

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A20R0CBHF3

9T04021A20R0CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8550

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A20R5CBHF3

9T04021A20R5CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8590

წინააღმდეგობა: 20.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A19R6CBHF3

9T04021A19R6CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8551

წინააღმდეგობა: 19.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A19R1CBHF3

9T04021A19R1CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8561

წინააღმდეგობა: 19.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A17R8CBHF3

9T04021A17R8CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8630

წინააღმდეგობა: 17.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A18R0CBHF3

9T04021A18R0CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8590

წინააღმდეგობა: 18 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A18R2CBHF3

9T04021A18R2CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8586

წინააღმდეგობა: 18.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A18R7CBHF3

9T04021A18R7CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8544

წინააღმდეგობა: 18.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A16R9CBHF3

9T04021A16R9CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8603

წინააღმდეგობა: 16.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A16R2CBHF3

9T04021A16R2CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8538

წინააღმდეგობა: 16.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A17R4CBHF3

9T04021A17R4CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8604

წინააღმდეგობა: 17.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A15R4CBHF3

9T04021A15R4CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8543

წინააღმდეგობა: 15.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A16R0CBHF3

9T04021A16R0CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8633

წინააღმდეგობა: 16 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A15R0CBHF3

9T04021A15R0CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8607

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A15R8CBHF3

9T04021A15R8CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8596

წინააღმდეგობა: 15.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A14R3CBHF3

9T04021A14R3CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8607

წინააღმდეგობა: 14.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A14R0CBHF3

9T04021A14R0CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8555

წინააღმდეგობა: 14 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A13R7CBHF3

9T04021A13R7CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8552

წინააღმდეგობა: 13.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A14R7CBHF3

9T04021A14R7CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8619

წინააღმდეგობა: 14.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A13R0CBHF3

9T04021A13R0CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8561

წინააღმდეგობა: 13 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A12R4CBHF3

9T04021A12R4CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8580

წინააღმდეგობა: 12.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A13R3CBHF3

9T04021A13R3CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8588

წინააღმდეგობა: 13.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A12R1CBHF3

9T04021A12R1CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8607

წინააღმდეგობა: 12.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A11R8CBHF3

9T04021A11R8CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8602

წინააღმდეგობა: 11.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A11R5CBHF3

9T04021A11R5CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8572

წინააღმდეგობა: 11.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი