ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T04021A5232DBHF3

9T04021A5232DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8530

წინააღმდეგობა: 52.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5362DBHF3

9T04021A5362DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8587

წინააღმდეგობა: 53.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4872DBHF3

9T04021A4872DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8576

წინააღმდეგობა: 48.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5102DBHF3

9T04021A5102DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8510

წინააღმდეგობა: 51 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4752DBHF3

9T04021A4752DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8537

წინააღმდეგობა: 47.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4992DBHF3

9T04021A4992DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8581

წინააღმდეგობა: 49.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4642DBHF3

9T04021A4642DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8496

წინააღმდეგობა: 46.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4422DBHF3

9T04021A4422DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8497

წინააღმდეგობა: 44.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4532DBHF3

9T04021A4532DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8491

წინააღმდეგობა: 45.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4702DBHF3

9T04021A4702DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8558

წინააღმდეგობა: 47 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4222DBHF3

9T04021A4222DBHF3

ნაწილი საფონდო: 3898

წინააღმდეგობა: 42.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4302DBHF3

9T04021A4302DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8572

წინააღმდეგობა: 43 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4322DBHF3

9T04021A4322DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8482

წინააღმდეგობა: 43.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4122DBHF3

9T04021A4122DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8516

წინააღმდეგობა: 41.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3902DBHF3

9T04021A3902DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8522

წინააღმდეგობა: 39 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3832DBHF3

9T04021A3832DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8529

წინააღმდეგობა: 38.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4022DBHF3

9T04021A4022DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8553

წინააღმდეგობა: 40.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3922DBHF3

9T04021A3922DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8506

წინააღმდეგობა: 39.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3602DBHF3

9T04021A3602DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8494

წინააღმდეგობა: 36 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3652DBHF3

9T04021A3652DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8559

წინააღმდეგობა: 36.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3742DBHF3

9T04021A3742DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8552

წინააღმდეგობა: 37.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3572DBHF3

9T04021A3572DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8480

წინააღმდეგობა: 35.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3482DBHF3

9T04021A3482DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8507

წინააღმდეგობა: 34.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3322DBHF3

9T04021A3322DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8570

წინააღმდეგობა: 33.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3302DBHF3

9T04021A3302DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8535

წინააღმდეგობა: 33 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3162DBHF3

9T04021A3162DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8477

წინააღმდეგობა: 31.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3092DBHF3

9T04021A3092DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8566

წინააღმდეგობა: 30.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3012DBHF3

9T04021A3012DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8509

წინააღმდეგობა: 30.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2942DBHF3

9T04021A2942DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8564

წინააღმდეგობა: 29.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2872DBHF3

9T04021A2872DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8534

წინააღმდეგობა: 28.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A3002DBHF3

9T04021A3002DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8514

წინააღმდეგობა: 30 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2802DBHF3

9T04021A2802DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8545

წინააღმდეგობა: 28 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2742DBHF3

9T04021A2742DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8542

წინააღმდეგობა: 27.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2702DBHF3

9T04021A2702DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8493

წინააღმდეგობა: 27 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2672DBHF3

9T04021A2672DBHF3

ნაწილი საფონდო: 3938

წინააღმდეგობა: 26.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2612DBHF3

9T04021A2612DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8531

წინააღმდეგობა: 26.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი