ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T04021A11R3CBHF3

9T04021A11R3CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8562

წინააღმდეგობა: 11.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A10R5CBHF3

9T04021A10R5CBHF3

ნაწილი საფონდო: 3905

წინააღმდეგობა: 10.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A11R0CBHF3

9T04021A11R0CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8588

წინააღმდეგობა: 11 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A10R7CBHF3

9T04021A10R7CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8543

წინააღმდეგობა: 10.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A10R2CBHF3

9T04021A10R2CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8580

წინააღმდეგობა: 10.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A9762DBHF3

9T04021A9762DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8550

წინააღმდეგობა: 97.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1003DBHF3

9T04021A1003DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8565

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A10R0CBHF3

9T04021A10R0CBHF3

ნაწილი საფონდო: 8540

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
9T04021A9102DBHF3

9T04021A9102DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8607

წინააღმდეგობა: 91 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A9312DBHF3

9T04021A9312DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8561

წინააღმდეგობა: 93.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A9532DBHF3

9T04021A9532DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8579

წინააღმდეგობა: 95.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A9092DBHF3

9T04021A9092DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8582

წინააღმდეგობა: 90.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8872DBHF3

9T04021A8872DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8581

წინააღმდეგობა: 88.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8452DBHF3

9T04021A8452DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8522

წინააღმდეგობა: 84.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8662DBHF3

9T04021A8662DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8519

წინააღმდეგობა: 86.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8252DBHF3

9T04021A8252DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8535

წინააღმდეგობა: 82.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7872DBHF3

9T04021A7872DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8526

წინააღმდეგობა: 78.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8062DBHF3

9T04021A8062DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8563

წინააღმდეგობა: 80.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7692DBHF3

9T04021A7692DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8539

წინააღმდეგობა: 76.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8202DBHF3

9T04021A8202DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8515

წინააღმდეგობა: 82 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7322DBHF3

9T04021A7322DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8511

წინააღმდეგობა: 73.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6982DBHF3

9T04021A6982DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8578

წინააღმდეგობა: 69.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7502DBHF3

9T04021A7502DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8528

წინააღმდეგობა: 75 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7152DBHF3

9T04021A7152DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8512

წინააღმდეგობა: 71.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6492DBHF3

9T04021A6492DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8599

წინააღმდეგობა: 64.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6652DBHF3

9T04021A6652DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8534

წინააღმდეგობა: 66.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6812DBHF3

9T04021A6812DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8516

წინააღმდეგობა: 68.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6042DBHF3

9T04021A6042DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8602

წინააღმდეგობა: 60.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6202DBHF3

9T04021A6202DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8504

წინააღმდეგობა: 62 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6342DBHF3

9T04021A6342DBHF3

ნაწილი საფონდო: 3942

წინააღმდეგობა: 63.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6192DBHF3

9T04021A6192DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8590

წინააღმდეგობა: 61.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5602DBHF3

9T04021A5602DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8589

წინააღმდეგობა: 56 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5902DBHF3

9T04021A5902DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8578

წინააღმდეგობა: 59 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5622DBHF3

9T04021A5622DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8524

წინააღმდეგობა: 56.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5112DBHF3

9T04021A5112DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8571

წინააღმდეგობა: 51.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5492DBHF3

9T04021A5492DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8499

წინააღმდეგობა: 54.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი