ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T04021A9760DBHF3

9T04021A9760DBHF3

ნაწილი საფონდო: 3905

წინააღმდეგობა: 976 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A9530DBHF3

9T04021A9530DBHF3

ნაწილი საფონდო: 3887

წინააღმდეგობა: 953 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A9100DBHF3

9T04021A9100DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8425

წინააღმდეგობა: 910 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A9310DBHF3

9T04021A9310DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8352

წინააღმდეგობა: 931 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8450DBHF3

9T04021A8450DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8339

წინააღმდეგობა: 845 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8870DBHF3

9T04021A8870DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8345

წინააღმდეგობა: 887 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A9090DBHF3

9T04021A9090DBHF3

ნაწილი საფონდო: 3914

წინააღმდეგობა: 909 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7870DBHF3

9T04021A7870DBHF3

ნაწილი საფონდო: 3876

წინააღმდეგობა: 787 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8250DBHF3

9T04021A8250DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8341

წინააღმდეგობა: 825 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8200DBHF3

9T04021A8200DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8407

წინააღმდეგობა: 820 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7690DBHF3

9T04021A7690DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8386

წინააღმდეგობა: 769 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7150DBHF3

9T04021A7150DBHF3

ნაწილი საფონდო: 7398

წინააღმდეგობა: 715 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7500DBHF3

9T04021A7500DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8416

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7320DBHF3

9T04021A7320DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8417

წინააღმდეგობა: 732 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6810DBHF3

9T04021A6810DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8402

წინააღმდეგობა: 681 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6650DBHF3

9T04021A6650DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8329

წინააღმდეგობა: 665 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6800DBHF3

9T04021A6800DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8368

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6980DBHF3

9T04021A6980DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8406

წინააღმდეგობა: 698 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6340DBHF3

9T04021A6340DBHF3

ნაწილი საფონდო: 3917

წინააღმდეგობა: 634 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6490DBHF3

9T04021A6490DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8410

წინააღმდეგობა: 649 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6190DBHF3

9T04021A6190DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8370

წინააღმდეგობა: 619 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6200DBHF3

9T04021A6200DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8395

წინააღმდეგობა: 620 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5620DBHF3

9T04021A5620DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8403

წინააღმდეგობა: 562 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A6040DBHF3

9T04021A6040DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8405

წინააღმდეგობა: 604 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5760DBHF3

9T04021A5760DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8395

წინააღმდეგობა: 576 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5900DBHF3

9T04021A5900DBHF3

ნაწილი საფონდო: 7389

წინააღმდეგობა: 590 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5490DBHF3

9T04021A5490DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8406

წინააღმდეგობა: 549 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5230DBHF3

9T04021A5230DBHF3

ნაწილი საფონდო: 3858

წინააღმდეგობა: 523 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5600DBHF3

9T04021A5600DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8324

წინააღმდეგობა: 560 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5360DBHF3

9T04021A5360DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8388

წინააღმდეგობა: 536 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5100DBHF3

9T04021A5100DBHF3

ნაწილი საფონდო: 3878

წინააღმდეგობა: 510 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4990DBHF3

9T04021A4990DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8356

წინააღმდეგობა: 499 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A5110DBHF3

9T04021A5110DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8341

წინააღმდეგობა: 511 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4870DBHF3

9T04021A4870DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8384

წინააღმდეგობა: 487 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4530DBHF3

9T04021A4530DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8341

წინააღმდეგობა: 453 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A4640DBHF3

9T04021A4640DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8368

წინააღმდეგობა: 464 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი