ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T04021A42R2DBHF3

9T04021A42R2DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8303

წინააღმდეგობა: 42.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A43R0DBHF3

9T04021A43R0DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8236

წინააღმდეგობა: 43 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A41R2DBHF3

9T04021A41R2DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8229

წინააღმდეგობა: 41.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A40R2DBHF3

9T04021A40R2DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8271

წინააღმდეგობა: 40.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A37R4DBHF3

9T04021A37R4DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8292

წინააღმდეგობა: 37.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A39R0DBHF3

9T04021A39R0DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8286

წინააღმდეგობა: 39 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A39R2DBHF3

9T04021A39R2DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8245

წინააღმდეგობა: 39.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A36R5DBHF3

9T04021A36R5DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8242

წინააღმდეგობა: 36.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A35R7DBHF3

9T04021A35R7DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8301

წინააღმდეგობა: 35.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A34R0DBHF3

9T04021A34R0DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8258

წინააღმდეგობა: 34 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A33R2DBHF3

9T04021A33R2DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8303

წინააღმდეგობა: 33.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A32R4DBHF3

9T04021A32R4DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8255

წინააღმდეგობა: 32.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A33R0DBHF3

9T04021A33R0DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8230

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A30R9DBHF3

9T04021A30R9DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8302

წინააღმდეგობა: 30.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A31R6DBHF3

9T04021A31R6DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8302

წინააღმდეგობა: 31.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A30R1DBHF3

9T04021A30R1DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8293

წინააღმდეგობა: 30.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A30R0DBHF3

9T04021A30R0DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8219

წინააღმდეგობა: 30 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A29R4DBHF3

9T04021A29R4DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8255

წინააღმდეგობა: 29.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A28R7DBHF3

9T04021A28R7DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8220

წინააღმდეგობა: 28.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A28R0DBHF3

9T04021A28R0DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8233

წინააღმდეგობა: 28 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A26R1DBHF3

9T04021A26R1DBHF3

ნაწილი საფონდო: 7406

წინააღმდეგობა: 26.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A27R0DBHF3

9T04021A27R0DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8254

წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A26R7DBHF3

9T04021A26R7DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8286

წინააღმდეგობა: 26.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A25R5DBHF3

9T04021A25R5DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8293

წინააღმდეგობა: 25.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A24R3DBHF3

9T04021A24R3DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8247

წინააღმდეგობა: 24.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A24R9DBHF3

9T04021A24R9DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8257

წინააღმდეგობა: 24.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A23R7DBHF3

9T04021A23R7DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8222

წინააღმდეგობა: 23.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A24R0DBHF3

9T04021A24R0DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8282

წინააღმდეგობა: 24 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A22R0DBHF3

9T04021A22R0DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8201

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A23R2DBHF3

9T04021A23R2DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8272

წინააღმდეგობა: 23.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A22R6DBHF3

9T04021A22R6DBHF3

ნაწილი საფონდო: 3899

წინააღმდეგობა: 22.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A20R0DBHF3

9T04021A20R0DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8291

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A20R5DBHF3

9T04021A20R5DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8286

წინააღმდეგობა: 20.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A21R0DBHF3

9T04021A21R0DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8269

წინააღმდეგობა: 21 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A18R2DBHF3

9T04021A18R2DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8282

წინააღმდეგობა: 18.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A17R8DBHF3

9T04021A17R8DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8201

წინააღმდეგობა: 17.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი