ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T04021A18R0DBHF3

9T04021A18R0DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8220

წინააღმდეგობა: 18 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A17R4DBHF3

9T04021A17R4DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8267

წინააღმდეგობა: 17.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A16R9DBHF3

9T04021A16R9DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8196

წინააღმდეგობა: 16.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A16R0DBHF3

9T04021A16R0DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8255

წინააღმდეგობა: 16 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A15R8DBHF3

9T04021A15R8DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8233

წინააღმდეგობა: 15.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A16R2DBHF3

9T04021A16R2DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8189

წინააღმდეგობა: 16.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A16R5DBHF3

9T04021A16R5DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8274

წინააღმდეგობა: 16.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A15R0DBHF3

9T04021A15R0DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8245

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A15R4DBHF3

9T04021A15R4DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8254

წინააღმდეგობა: 15.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A14R7DBHF3

9T04021A14R7DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8196

წინააღმდეგობა: 14.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A14R3DBHF3

9T04021A14R3DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8245

წინააღმდეგობა: 14.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A14R0DBHF3

9T04021A14R0DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8268

წინააღმდეგობა: 14 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A13R0DBHF3

9T04021A13R0DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8226

წინააღმდეგობა: 13 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A13R3DBHF3

9T04021A13R3DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8214

წინააღმდეგობა: 13.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A12R0DBHF3

9T04021A12R0DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8243

წინააღმდეგობა: 12 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A12R4DBHF3

9T04021A12R4DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8257

წინააღმდეგობა: 12.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A12R1DBHF3

9T04021A12R1DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8223

წინააღმდეგობა: 12.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A12R7DBHF3

9T04021A12R7DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8263

წინააღმდეგობა: 12.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A11R0DBHF3

9T04021A11R0DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8253

წინააღმდეგობა: 11 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A11R8DBHF3

9T04021A11R8DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8203

წინააღმდეგობა: 11.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A11R5DBHF3

9T04021A11R5DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8223

წინააღმდეგობა: 11.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A11R3DBHF3

9T04021A11R3DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8236

წინააღმდეგობა: 11.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A10R0DBHF3

9T04021A10R0DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8218

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
9T04021A10R5DBHF3

9T04021A10R5DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8182

წინააღმდეგობა: 10.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A10R7DBHF3

9T04021A10R7DBHF3

ნაწილი საფონდო: 3856

წინააღმდეგობა: 10.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A9762BAHF3

9T04021A9762BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8186

წინააღმდეგობა: 97.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A9532BAHF3

9T04021A9532BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8165

წინააღმდეგობა: 95.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1003BAHF3

9T04021A1003BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8194

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A9312BAHF3

9T04021A9312BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8165

წინააღმდეგობა: 93.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A9102BAHF3

9T04021A9102BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8172

წინააღმდეგობა: 91 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8872BAHF3

9T04021A8872BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8190

წინააღმდეგობა: 88.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8662BAHF3

9T04021A8662BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8163

წინააღმდეგობა: 86.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8062BAHF3

9T04021A8062BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8215

წინააღმდეგობა: 80.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8452BAHF3

9T04021A8452BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8235

წინააღმდეგობა: 84.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A8202BAHF3

9T04021A8202BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8185

წინააღმდეგობა: 82 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A7322BAHF3

9T04021A7322BAHF3

ნაწილი საფონდო: 8245

წინააღმდეგობა: 73.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი