ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T04021A88R7DBHF3

9T04021A88R7DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8254

წინააღმდეგობა: 88.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A82R5DBHF3

9T04021A82R5DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8264

წინააღმდეგობა: 82.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A84R5DBHF3

9T04021A84R5DBHF3

ნაწილი საფონდო: 3924

წინააღმდეგობა: 84.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A82R0DBHF3

9T04021A82R0DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8263

წინააღმდეგობა: 82 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A86R6DBHF3

9T04021A86R6DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8290

წინააღმდეგობა: 86.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A76R9DBHF3

9T04021A76R9DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8266

წინააღმდეგობა: 76.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A75R0DBHF3

9T04021A75R0DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8287

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A80R6DBHF3

9T04021A80R6DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8287

წინააღმდეგობა: 80.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A78R7DBHF3

9T04021A78R7DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8279

წინააღმდეგობა: 78.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A68R1DBHF3

9T04021A68R1DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8326

წინააღმდეგობა: 68.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A71R5DBHF3

9T04021A71R5DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8318

წინააღმდეგობა: 71.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A69R8DBHF3

9T04021A69R8DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8295

წინააღმდეგობა: 69.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A73R2DBHF3

9T04021A73R2DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8328

წინააღმდეგობა: 73.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A63R4DBHF3

9T04021A63R4DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8331

წინააღმდეგობა: 63.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A64R9DBHF3

9T04021A64R9DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8292

წინააღმდეგობა: 64.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A68R0DBHF3

9T04021A68R0DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8284

წინააღმდეგობა: 68 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A66R5DBHF3

9T04021A66R5DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8271

წინააღმდეგობა: 66.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A59R0DBHF3

9T04021A59R0DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8326

წინააღმდეგობა: 59 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A60R4DBHF3

9T04021A60R4DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8288

წინააღმდეგობა: 60.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A62R0DBHF3

9T04021A62R0DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8316

წინააღმდეგობა: 62 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A61R9DBHF3

9T04021A61R9DBHF3

ნაწილი საფონდო: 3901

წინააღმდეგობა: 61.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A57R6DBHF3

9T04021A57R6DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8264

წინააღმდეგობა: 57.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A54R9DBHF3

9T04021A54R9DBHF3

ნაწილი საფონდო: 3861

წინააღმდეგობა: 54.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A56R2DBHF3

9T04021A56R2DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8243

წინააღმდეგობა: 56.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A56R0DBHF3

9T04021A56R0DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8271

წინააღმდეგობა: 56 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A51R0DBHF3

9T04021A51R0DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8254

წინააღმდეგობა: 51 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A53R6DBHF3

9T04021A53R6DBHF3

ნაწილი საფონდო: 3889

წინააღმდეგობა: 53.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A52R3DBHF3

9T04021A52R3DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8239

წინააღმდეგობა: 52.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A51R1DBHF3

9T04021A51R1DBHF3

ნაწილი საფონდო: 3910

წინააღმდეგობა: 51.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A49R9DBHF3

9T04021A49R9DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8296

წინააღმდეგობა: 49.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A47R5DBHF3

9T04021A47R5DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8260

წინააღმდეგობა: 47.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A47R0DBHF3

9T04021A47R0DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8323

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A43R2DBHF3

9T04021A43R2DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8249

წინააღმდეგობა: 43.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A44R2DBHF3

9T04021A44R2DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8225

წინააღმდეგობა: 44.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A46R4DBHF3

9T04021A46R4DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8312

წინააღმდეგობა: 46.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A45R3DBHF3

9T04021A45R3DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8271

წინააღმდეგობა: 45.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი