ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

9T04021A2200DBHF3

9T04021A2200DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8321

წინააღმდეგობა: 220 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2100DBHF3

9T04021A2100DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8328

წინააღმდეგობა: 210 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1910DBHF3

9T04021A1910DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8329

წინააღმდეგობა: 191 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2000DBHF3

9T04021A2000DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8333

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1960DBHF3

9T04021A1960DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8285

წინააღმდეგობა: 196 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A2050DBHF3

9T04021A2050DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8297

წინააღმდეგობა: 205 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1820DBHF3

9T04021A1820DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8339

წინააღმდეგობა: 182 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1780DBHF3

9T04021A1780DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8283

წინააღმდეგობა: 178 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1800DBHF3

9T04021A1800DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8325

წინააღმდეგობა: 180 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1650DBHF3

9T04021A1650DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8337

წინააღმდეგობა: 165 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1740DBHF3

9T04021A1740DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8307

წინააღმდეგობა: 174 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1690DBHF3

9T04021A1690DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8356

წინააღმდეგობა: 169 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1620DBHF3

9T04021A1620DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8356

წინააღმდეგობა: 162 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1580DBHF3

9T04021A1580DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8297

წინააღმდეგობა: 158 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1540DBHF3

9T04021A1540DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8339

წინააღმდეგობა: 154 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1600DBHF3

9T04021A1600DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8344

წინააღმდეგობა: 160 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1370DBHF3

9T04021A1370DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8305

წინააღმდეგობა: 137 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1400DBHF3

9T04021A1400DBHF3

ნაწილი საფონდო: 3866

წინააღმდეგობა: 140 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1240DBHF3

9T04021A1240DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8362

წინააღმდეგობა: 124 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1270DBHF3

9T04021A1270DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8269

წინააღმდეგობა: 127 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1330DBHF3

9T04021A1330DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8287

წინააღმდეგობა: 133 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1300DBHF3

9T04021A1300DBHF3

ნაწილი საფონდო: 3898

წინააღმდეგობა: 130 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1180DBHF3

9T04021A1180DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8275

წინააღმდეგობა: 118 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1150DBHF3

9T04021A1150DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8277

წინააღმდეგობა: 115 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1200DBHF3

9T04021A1200DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8341

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1210DBHF3

9T04021A1210DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8339

წინააღმდეგობა: 121 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1130DBHF3

9T04021A1130DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8322

წინააღმდეგობა: 113 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1070DBHF3

9T04021A1070DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8284

წინააღმდეგობა: 107 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1100DBHF3

9T04021A1100DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8339

წინააღმდეგობა: 110 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1050DBHF3

9T04021A1050DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8265

წინააღმდეგობა: 105 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A95R3DBHF3

9T04021A95R3DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8307

წინააღმდეგობა: 95.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A97R6DBHF3

9T04021A97R6DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8341

წინააღმდეგობა: 97.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A1020DBHF3

9T04021A1020DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8284

წინააღმდეგობა: 102 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A93R1DBHF3

9T04021A93R1DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8323

წინააღმდეგობა: 93.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A91R0DBHF3

9T04021A91R0DBHF3

ნაწილი საფონდო: 3884

წინააღმდეგობა: 91 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
9T04021A90R9DBHF3

9T04021A90R9DBHF3

ნაწილი საფონდო: 8339

წინააღმდეგობა: 90.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი