ტრანზისტორები - FET, MOSFET - RF

BF1100R,235

ნაწილი საფონდო: 6039

ტრანზისტორის ტიპი: N-Channel Dual Gate, სიხშირე: 800MHz, ძაბვა - ტესტი: 9V, მიმდინარე რეიტინგი: 30mA, ხმაურის ფიგურა: 2dB,

BF909AR,215

ნაწილი საფონდო: 6009

ტრანზისტორის ტიპი: MESFET Dual Gate, სიხშირე: 800MHz, მიმდინარე რეიტინგი: 40mA, ხმაურის ფიგურა: 2dB,

BF1212WR,115

ნაწილი საფონდო: 5999

ტრანზისტორის ტიპი: N-Channel Dual Gate, სიხშირე: 400MHz, მოგება: 30dB, ძაბვა - ტესტი: 5V, მიმდინარე რეიტინგი: 30mA, ხმაურის ფიგურა: 0.9dB,

BF909A,215

ნაწილი საფონდო: 5978

ტრანზისტორის ტიპი: N-Channel Dual Gate, სიხშირე: 800MHz, მიმდინარე რეიტინგი: 40mA, ხმაურის ფიგურა: 2dB,

BF1217WR,115

ნაწილი საფონდო: 4658

ტრანზისტორის ტიპი: N-Channel Dual Gate, სიხშირე: 400MHz, მოგება: 30dB, ძაბვა - ტესტი: 5V, მიმდინარე რეიტინგი: 30mA, ხმაურის ფიგურა: 1dB,

BF1202R,215

ნაწილი საფონდო: 5993

ტრანზისტორის ტიპი: N-Channel Dual Gate, სიხშირე: 400MHz, მოგება: 30.5dB, ძაბვა - ტესტი: 5V, მიმდინარე რეიტინგი: 30mA, ხმაურის ფიგურა: 0.9dB,

BF510,215

ნაწილი საფონდო: 186685

ტრანზისტორის ტიპი: N-Channel JFET, სიხშირე: 100MHz, ძაბვა - ტესტი: 10V, მიმდინარე რეიტინგი: 30mA, ხმაურის ფიგურა: 1.5dB,

BF545A,215

ნაწილი საფონდო: 118483

ტრანზისტორის ტიპი: N-Channel JFET, მიმდინარე რეიტინგი: 6.5mA,

BF511,215

ნაწილი საფონდო: 144869

ტრანზისტორის ტიპი: N-Channel JFET, სიხშირე: 100MHz, ძაბვა - ტესტი: 10V, მიმდინარე რეიტინგი: 30mA, ხმაურის ფიგურა: 1.5dB,

MHT1004GNR3

ნაწილი საფონდო: 205

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.45GHz, მოგება: 15.2dB, ძაბვა - ტესტი: 32V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

MRF8HP21130HR5

ნაწილი საფონდო: 6353

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 2.17GHz, მოგება: 14dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

MMRF2004NBR1

ნაწილი საფონდო: 2212

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.7GHz, მოგება: 28.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

MRF24301HSR5

ნაწილი საფონდო: 730

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.4GHz ~ 2.5GHz, მოგება: 13.5dB,

ON5295,127

ნაწილი საფონდო: 6375

MMRF1021NT1

ნაწილი საფონდო: 6411

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 870MHz, მოგება: 15.2dB, ძაბვა - ტესტი: 7.5V,

MRF8S23120HSR3

ნაწილი საფონდო: 6425

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.3GHz, მოგება: 16dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

MRF6V2150NR1

ნაწილი საფონდო: 1968

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 220MHz, მოგება: 25dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

MRF8S21120HSR3

ნაწილი საფონდო: 1593

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.17GHz, მოგება: 17.6dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

MMRF5014H-500MHZ

ნაწილი საფონდო: 172

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 1MHz ~ 2.7GHz, მოგება: 18dB, ძაბვა - ტესტი: 50V, მიმდინარე რეიტინგი: 5mA,

MRFE6VP8600HR6

ნაწილი საფონდო: 6353

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 860MHz, მოგება: 19.3dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

MRF13750HSR5

ნაწილი საფონდო: 177

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 700MHz ~ 1.3GHz, მოგება: 20.4dB, ძაბვა - ტესტი: 50V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

MHE1003NR3

ნაწილი საფონდო: 225

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.4GHz ~ 2.5GHz, მოგება: 14.1dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

ON5274,115

ნაწილი საფონდო: 6342

MRF8S23120HR5

ნაწილი საფონდო: 6424

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.3GHz, მოგება: 16dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

MRF8S9120NR3

ნაწილი საფონდო: 1777

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 960MHz, მოგება: 19.8dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

MW6S004NT1

ნაწილი საფონდო: 9361

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.96GHz, მოგება: 18dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

MRF8S9260HR3

ნაწილი საფონდო: 6397

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 960MHz, მოგება: 18.6dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

MMRF1306HR5

ნაწილი საფონდო: 374

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 230MHz, მოგება: 24dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

MMRF5017HSR5

ნაწილი საფონდო: 349

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 30MHz ~ 2.2GHz, მოგება: 18.4dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

ON5452,518

ნაწილი საფონდო: 6408

MRF8P18265HR6

ნაწილი საფონდო: 6361

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.88GHz, მოგება: 16dB, ძაბვა - ტესტი: 30V,

MMRF1015GNR1

ნაწილი საფონდო: 7067

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 960MHz, მოგება: 18dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

MRF8S26060HR3

ნაწილი საფონდო: 6377

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.69GHz, მოგება: 16.3dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

MRF8S21200HR5

ნაწილი საფონდო: 6353

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 2.14GHz, მოგება: 18.1dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

MRF13750H-915MHZ

ნაწილი საფონდო: 49

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 700MHz ~ 1.3GHz, მოგება: 20.6dB, ძაბვა - ტესტი: 50V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

MMRF1022HSR5

ნაწილი საფონდო: 583

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 2.14GHz, მოგება: 16.2dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,