ტრანზისტორები - FET, MOSFET - RF

AFT09MS007NT1

AFT09MS007NT1

ნაწილი საფონდო: 31141

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 870MHz, მოგება: 15.2dB, ძაბვა - ტესტი: 7.5V,

სასურველი
AFT09MS015NT1

AFT09MS015NT1

ნაწილი საფონდო: 20018

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 870MHz, მოგება: 17.2dB, ძაბვა - ტესტი: 12.5V,

სასურველი
AFT26HW050SR3

AFT26HW050SR3

ნაწილი საფონდო: 1413

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 2.69GHz, მოგება: 14.2dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
AFT20P140-4WGNR3

AFT20P140-4WGNR3

ნაწილი საფონდო: 1440

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.88GHz ~ 1.91GHz, მოგება: 17.8dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
AFT26H250W03SR6

AFT26H250W03SR6

ნაწილი საფონდო: 790

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.5GHz, მოგება: 14.1dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
AFT23S170-13SR3

AFT23S170-13SR3

ნაწილი საფონდო: 1109

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.4GHz, მოგება: 18.8dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
AFT26H050W26SR3

AFT26H050W26SR3

ნაწილი საფონდო: 1719

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.69GHz, მოგება: 14.2dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
AFT26P100-4WSR3

AFT26P100-4WSR3

ნაწილი საფონდო: 1114

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 2.69GHz, მოგება: 15.1dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
AFT26HW050GSR3

AFT26HW050GSR3

ნაწილი საფონდო: 1495

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 2.69GHz, მოგება: 14.2dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
AFT18HW355SR6

AFT18HW355SR6

ნაწილი საფონდო: 564

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.88GHz, მოგება: 15.2dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
AFT18HW355SR5

AFT18HW355SR5

ნაწილი საფონდო: 621

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.88GHz, მოგება: 15.2dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
AFT23H201-24SR6

AFT23H201-24SR6

ნაწილი საფონდო: 6014

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.3GHz ~ 2.4GHz, მოგება: 15.6dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
AFT05MS006NT1

AFT05MS006NT1

ნაწილი საფონდო: 40947

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 520MHz, მოგება: 18.3dB, ძაბვა - ტესტი: 7.5V,

სასურველი
BF861B,235

BF861B,235

ნაწილი საფონდო: 105184

ტრანზისტორის ტიპი: N-Channel JFET, მიმდინარე რეიტინგი: 15mA,

სასურველი
BF556A,235

BF556A,235

ნაწილი საფონდო: 139040

ტრანზისტორის ტიპი: N-Channel JFET, მიმდინარე რეიტინგი: 7mA,

სასურველი
BF904AR,215

BF904AR,215

ნაწილი საფონდო: 6434

ტრანზისტორის ტიპი: N-Channel Dual Gate, სიხშირე: 200MHz, ძაბვა - ტესტი: 4V, მიმდინარე რეიტინგი: 30mA, ხმაურის ფიგურა: 1dB,

სასურველი
BF904R,215

BF904R,215

ნაწილი საფონდო: 6363

ტრანზისტორის ტიპი: N-Channel Dual Gate, სიხშირე: 200MHz, ძაბვა - ტესტი: 5V, მიმდინარე რეიტინგი: 30mA, ხმაურის ფიგურა: 1dB,

სასურველი
BF513,215

BF513,215

ნაწილი საფონდო: 161020

ტრანზისტორის ტიპი: N-Channel JFET, სიხშირე: 100MHz, ძაბვა - ტესტი: 10V, მიმდინარე რეიტინგი: 30mA, ხმაურის ფიგურა: 1.5dB,

სასურველი
BF1105R,215

BF1105R,215

ნაწილი საფონდო: 100749

ტრანზისტორის ტიპი: N-Channel Dual Gate, სიხშირე: 800MHz, მოგება: 20dB, ძაბვა - ტესტი: 5V, მიმდინარე რეიტინგი: 30mA, ხმაურის ფიგურა: 1.7dB,

სასურველი
BF861C,215

BF861C,215

ნაწილი საფონდო: 115649

ტრანზისტორის ტიპი: N-Channel JFET, მიმდინარე რეიტინგი: 25mA,

სასურველი
BF861B,215

BF861B,215

ნაწილი საფონდო: 194800

ტრანზისტორის ტიპი: N-Channel JFET, მიმდინარე რეიტინგი: 15mA,

სასურველი
BF556A,215

BF556A,215

ნაწილი საფონდო: 163969

ტრანზისტორის ტიპი: N-Channel JFET, მიმდინარე რეიტინგი: 7mA,

სასურველი
BF992,215

BF992,215

ნაწილი საფონდო: 173172

ტრანზისტორის ტიპი: N-Channel Dual Gate, სიხშირე: 200MHz, ძაბვა - ტესტი: 10V, მიმდინარე რეიტინგი: 40mA, ხმაურის ფიგურა: 1.2dB,

სასურველი
BF1108/L,215

BF1108/L,215

ნაწილი საფონდო: 6393

ტრანზისტორის ტიპი: N-Channel, მიმდინარე რეიტინგი: 10mA,

სასურველი
BLC8G27LS-245AVJ

BLC8G27LS-245AVJ

ნაწილი საფონდო: 6372

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), Common Source, სიხშირე: 2.5GHz ~ 2.69GHz, მოგება: 14.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
BLC8G24LS-240AVU

BLC8G24LS-240AVU

ნაწილი საფონდო: 6425

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 2.3GHz ~ 2.4GHz, მოგება: 15dB, ძაბვა - ტესტი: 30V,

სასურველი
BLC8G24LS-240AVJ

BLC8G24LS-240AVJ

ნაწილი საფონდო: 6366

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 2.3GHz ~ 2.4GHz, მოგება: 15dB, ძაბვა - ტესტი: 30V,

სასურველი
BLF8G22LS-310AVU

BLF8G22LS-310AVU

ნაწილი საფონდო: 4663

სასურველი
BLF8G20LS-400PVQ

BLF8G20LS-400PVQ

ნაწილი საფონდო: 6387

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.81GHz ~ 1.88GHz, მოგება: 19dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
BLP8G10S-45PJ

BLP8G10S-45PJ

ნაწილი საფონდო: 6388

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 952.5MHz ~ 957.5MHz, მოგება: 20.8dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
BLP8G10S-45PGJ

BLP8G10S-45PGJ

ნაწილი საფონდო: 6401

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 700MHz ~ 1GHz, მოგება: 21dB,

სასურველი
BLP7G07S-140P,118

BLP7G07S-140P,118

ნაწილი საფონდო: 4657

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 700MHz ~ 1GHz, მოგება: 20.6dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
BLP7G22-10,135

BLP7G22-10,135

ნაწილი საფონდო: 6412

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 700MHz ~ 2.2GHz, მოგება: 27dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
BLF8G22L-160BV,112

BLF8G22L-160BV,112

ნაწილი საფონდო: 6368

სასურველი
BLF6G27LS-50BN,118

BLF6G27LS-50BN,118

ნაწილი საფონდო: 6383

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 2.5GHz ~ 2.7GHz, მოგება: 16.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 12A,

სასურველი
BLF6G27LS-50BN,112

BLF6G27LS-50BN,112

ნაწილი საფონდო: 4712

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 2.5GHz ~ 2.7GHz, მოგება: 16.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 12A,

სასურველი