ტრანზისტორები - FET, MOSFET - RF

AFT05MS004NT1

AFT05MS004NT1

ნაწილი საფონდო: 63944

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 520MHz, მოგება: 20.9dB, ძაბვა - ტესტი: 7.5V,

სასურველი
A2I20H060NR1

A2I20H060NR1

ნაწილი საფონდო: 2592

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.84GHz, მოგება: 28.9dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
AFT09S200W02NR3

AFT09S200W02NR3

ნაწილი საფონდო: 1078

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 960MHz, მოგება: 19.2dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
AFT05MS003NT1

AFT05MS003NT1

ნაწილი საფონდო: 78922

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 520MHz, მოგება: 20.8dB, ძაბვა - ტესტი: 7.5V,

სასურველი
A2T08VD020NT1

A2T08VD020NT1

ნაწილი საფონდო: 131

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 728MHz ~ 960MHz, მოგება: 19.1dB, ძაბვა - ტესტი: 48V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
AFM906NT1

AFM906NT1

ნაწილი საფონდო: 116

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 136MHz ~ 941MHz, ძაბვა - ტესტი: 10.8V, მიმდინარე რეიტინგი: 2µA,

სასურველი
A2T27S007NT1

A2T27S007NT1

ნაწილი საფონდო: 92

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 728MHz ~ 3.6GHz,

სასურველი
AFM907NT1

AFM907NT1

ნაწილი საფონდო: 115

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 136MHz ~ 941MHz, ძაბვა - ტესტი: 10.8V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
A2T08VD021NT1

A2T08VD021NT1

ნაწილი საფონდო: 151

სასურველი
AFT27S006NT1

AFT27S006NT1

ნაწილი საფონდო: 16255

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.17GHz, მოგება: 22dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
A2G26H281-04SR3

A2G26H281-04SR3

ნაწილი საფონდო: 118

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.496GHz ~ 2.69GHz, მოგება: 14.2dB, ძაბვა - ტესტი: 48V,

სასურველი
A3T18H360W23SR6

A3T18H360W23SR6

ნაწილი საფონდო: 201

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.8GHz ~ 1.88GHz, მოგება: 16.6dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
A3T18H400W23SR6

A3T18H400W23SR6

ნაწილი საფონდო: 180

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.805GHz ~ 1.88GHz, მოგება: 16.8dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
AFT27S012NT1

AFT27S012NT1

ნაწილი საფონდო: 150

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 728MHz ~ 2.7GHz, მოგება: 20.9dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
A3T19H455W23SR6

A3T19H455W23SR6

ნაწილი საფონდო: 109

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.93GHz ~ 1.99GHz, მოგება: 16.4dB, ძაბვა - ტესტი: 30V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
AFG24S100HR5

AFG24S100HR5

ნაწილი საფონდო: 194

სიხშირე: 1MHz ~ 2.5GHz, მოგება: 16.3dB,

სასურველი
AFV10700H-1090

AFV10700H-1090

ნაწილი საფონდო: 186

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.03GHz ~ 1.09GHz, მოგება: 19.2dB, ძაბვა - ტესტი: 50V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
A2G22S160-01SR3

A2G22S160-01SR3

ნაწილი საფონდო: 877

სიხშირე: 2.11GHz, მოგება: 19.6dB, ძაბვა - ტესტი: 48V,

სასურველი
A3G18H500-04SR3

A3G18H500-04SR3

ნაწილი საფონდო: 181

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.805GHz ~ 1.88GHz, მოგება: 15.4dB, ძაბვა - ტესტი: 48V,

სასურველი
AFT27S010NT1

AFT27S010NT1

ნაწილი საფონდო: 9240

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.17GHz, მოგება: 21.7dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
A2G22S251-01SR3

A2G22S251-01SR3

ნაწილი საფონდო: 120

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.805GHz ~ 2.2GHz, მოგება: 17.7dB, ძაბვა - ტესტი: 48V,

სასურველი
A3T21H360W23SR6

A3T21H360W23SR6

ნაწილი საფონდო: 134

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 2.11GHz ~ 2.2GHz, მოგება: 16.4dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
A3T21H450W23SR6

A3T21H450W23SR6

ნაწილი საფონდო: 120

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.11GHz ~ 2.2GHz, მოგება: 15.4dB, ძაბვა - ტესტი: 30V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
A2T23H200W23SR6

A2T23H200W23SR6

ნაწილი საფონდო: 150

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.3GHz ~ 2.4GHz, მოგება: 15.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
A2G35S200-01SR3

A2G35S200-01SR3

ნაწილი საფონდო: 108

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 3.4GHz ~ 3.6GHz, მოგება: 16.1dB, ძაბვა - ტესტი: 48V,

სასურველი
A3T21H455W23SR6

A3T21H455W23SR6

ნაწილი საფონდო: 156

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 2.11GHz ~ 2.2GHz, მოგება: 15dB, ძაბვა - ტესტი: 30V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
A3T18H455W23SR6

A3T18H455W23SR6

ნაწილი საფონდო: 107

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.805GHz ~ 1.88GHz, მოგება: 16.7dB, ძაბვა - ტესტი: 30V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
A2T07D160W04SR3

A2T07D160W04SR3

ნაწილი საფონდო: 853

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 803MHz, მოგება: 21.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
A2T21H100-25SR3

A2T21H100-25SR3

ნაწილი საფონდო: 1114

ტრანზისტორის ტიპი: N-Channel,

სასურველი
A2V07H400-04NR3

A2V07H400-04NR3

ნაწილი საფონდო: 173

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 595MHz ~ 851MHz, მოგება: 19.9dB, ძაბვა - ტესტი: 48V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
A2V07H525-04NR6

A2V07H525-04NR6

ნაწილი საფონდო: 159

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 595MHz ~ 851MHz, მოგება: 17.5dB, ძაბვა - ტესტი: 48V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
AFT05MP075GNR1

AFT05MP075GNR1

ნაწილი საფონდო: 5368

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 520MHz, მოგება: 18.5dB, ძაბვა - ტესტი: 12.5V,

სასურველი
A2V09H300-04NR3

A2V09H300-04NR3

ნაწილი საფონდო: 135

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 720MHz ~ 960MHz, მოგება: 19.7dB, ძაბვა - ტესტი: 48V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
AFT21S230SR5

AFT21S230SR5

ნაწილი საფონდო: 975

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.11GHz, მოგება: 16.7dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
AFT21S220W02SR3

AFT21S220W02SR3

ნაწილი საფონდო: 1124

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.14GHz, მოგება: 19.1dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
AFT20S015NR1

AFT20S015NR1

ნაწილი საფონდო: 4540

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.17GHz, მოგება: 17.6dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი