ტრანზისტორები - FET, MOSFET - RF

AFV141KHSR5

AFV141KHSR5

ნაწილი საფონდო: 165

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.4GHz, მოგება: 17.7dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
A2T20H330W24NR6

A2T20H330W24NR6

ნაწილი საფონდო: 200

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.88GHz ~ 2.025GHz, მოგება: 15.9dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
AFT21S230SR3

AFT21S230SR3

ნაწილი საფონდო: 1001

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.11GHz, მოგება: 16.7dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
A2V09H525-04NR6

A2V09H525-04NR6

ნაწილი საფონდო: 162

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 720MHz ~ 960MHz, მოგება: 18.9dB, ძაბვა - ტესტი: 48V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
A2T20H330W24SR6

A2T20H330W24SR6

ნაწილი საფონდო: 683

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.88GHz, მოგება: 16.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
AFT26P100-4WGSR3

AFT26P100-4WGSR3

ნაწილი საფონდო: 1116

სასურველი
A2T21H360-23NR6

A2T21H360-23NR6

ნაწილი საფონდო: 216

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 2.11GHz ~ 2.2GHz, მოგება: 16.8dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
AFV121KHR5

AFV121KHR5

ნაწილი საფონდო: 206

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 960MHz ~ 1.22GHz, მოგება: 19.6dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
A2T09VD300NR1

A2T09VD300NR1

ნაწილი საფონდო: 938

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 920MHz, მოგება: 21.5dB, ძაბვა - ტესტი: 48V,

სასურველი
AFT09MP055NR1

AFT09MP055NR1

ნაწილი საფონდო: 5187

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 870MHz, მოგება: 15.7dB, ძაბვა - ტესტი: 12.5V,

სასურველი
A2T26H160-24SR3

A2T26H160-24SR3

ნაწილი საფონდო: 976

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 2.58GHz, მოგება: 15.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
AFT26H250-24SR6

AFT26H250-24SR6

ნაწილი საფონდო: 858

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.5GHz, მოგება: 14.1dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
AFT21S232SR5

AFT21S232SR5

ნაწილი საფონდო: 949

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.11GHz, მოგება: 16.7dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
AFV141KGSR5

AFV141KGSR5

ნაწილი საფონდო: 147

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.4GHz, მოგება: 17.7dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
A2T18H160-24SR3

A2T18H160-24SR3

ნაწილი საფონდო: 1039

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.81GHz, მოგება: 17.9dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
A2T18S162W31SR3

A2T18S162W31SR3

ნაწილი საფონდო: 944

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.84GHz, მოგება: 20.1dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
A2I25D025NR1

A2I25D025NR1

ნაწილი საფონდო: 2995

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 2.69GHz, მოგება: 31.9dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
A2T18S165-12SR3

A2T18S165-12SR3

ნაწილი საფონდო: 210

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.805GHz ~ 1.995GHz, მოგება: 18dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
AFT18S230-12NR3

AFT18S230-12NR3

ნაწილი საფონდო: 1281

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.88GHz, მოგება: 17.6dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
A2T18S160W31GSR3

A2T18S160W31GSR3

ნაწილი საფონდო: 930

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.88GHz, მოგება: 19.9dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
A2T21H450W19SR6

A2T21H450W19SR6

ნაწილი საფონდო: 153

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.11GHz ~ 2.2GHz, მოგება: 15.7dB, ძაბვა - ტესტი: 30V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
AFV10700HR5

AFV10700HR5

ნაწილი საფონდო: 221

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.03GHz ~ 1.09GHz, მოგება: 19.2dB, ძაბვა - ტესტი: 50V, მიმდინარე რეიტინგი: 1µA,

სასურველი
AFV10700HSR5

AFV10700HSR5

ნაწილი საფონდო: 413

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.03GHz ~ 1.09GHz, მოგება: 19.2dB, ძაბვა - ტესტი: 50V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
A2T26H300-24SR6

A2T26H300-24SR6

ნაწილი საფონდო: 730

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 2.5GHz, მოგება: 14.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
AFT21H350W03SR6

AFT21H350W03SR6

ნაწილი საფონდო: 648

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.11GHz, მოგება: 16.4dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
AFT31150NR5

AFT31150NR5

ნაწილი საფონდო: 504

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.7GHz ~ 3.1GHz, მოგება: 17.2dB, ძაბვა - ტესტი: 32V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
A2V09H400-04NR3

A2V09H400-04NR3

ნაწილი საფონდო: 1624

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 720MHz ~ 960MHz, მოგება: 17.9dB, ძაბვა - ტესტი: 48V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
AFT20P140-4WNR3

AFT20P140-4WNR3

ნაწილი საფონდო: 1461

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.88GHz ~ 1.91GHz, მოგება: 17.8dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
A2G35S160-01SR3

A2G35S160-01SR3

ნაწილი საფონდო: 1620

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 3.4GHz ~ 3.6GHz, მოგება: 15.7dB, ძაბვა - ტესტი: 48V,

სასურველი
AFT23S160W02GSR3

AFT23S160W02GSR3

ნაწილი საფონდო: 922

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.4GHz, მოგება: 17.9dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
AFT21S140W02GSR3

AFT21S140W02GSR3

ნაწილი საფონდო: 1050

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.14GHz, მოგება: 19.3dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
AFT21S220W02GSR3

AFT21S220W02GSR3

ნაწილი საფონდო: 1051

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.14GHz, მოგება: 19.1dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
AFT05MS031NR1

AFT05MS031NR1

ნაწილი საფონდო: 8935

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 520MHz, მოგება: 17.7dB, ძაბვა - ტესტი: 13.6V,

სასურველი
AFT20S015GNR1

AFT20S015GNR1

ნაწილი საფონდო: 4498

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.17GHz, მოგება: 17.6dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
A2G26H280-04SR3

A2G26H280-04SR3

ნაწილი საფონდო: 6454

სასურველი
AFT23S160W02SR3

AFT23S160W02SR3

ნაწილი საფონდო: 1017

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.4GHz, მოგება: 17.9dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი