ტრანზისტორები - FET, MOSFET - RF

A2I08H040GNR1

ნაწილი საფონდო: 2571

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 920MHz, მოგება: 30.7dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

AFT18S260W31SR3

ნაწილი საფონდო: 785

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.88GHz, მოგება: 19.6dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

A2T27S020GNR1

ნაწილი საფონდო: 223

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 400MHz ~ 2.7GHz, მოგება: 21dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

A2T23H160-24SR3

ნაწილი საფონდო: 988

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 2.3GHz, მოგება: 17.7dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

AFT05MS031GNR1

ნაწილი საფონდო: 8693

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 520MHz, მოგება: 17.7dB, ძაბვა - ტესტი: 13.6V,

AFIC31025NR1

ნაწილი საფონდო: 200

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.7GHz ~ 3.1GHz, მოგება: 30dB,

AFT05MP075NR1

ნაწილი საფონდო: 5597

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 520MHz, მოგება: 18.5dB, ძაბვა - ტესტი: 12.5V,

A2T18S260W12NR3

ნაწილი საფონდო: 165

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.805GHz ~ 1.88GHz, მოგება: 18.7dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

AFV09P350-04NR3

ნაწილი საფონდო: 508

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 920MHz, მოგება: 19.5dB, ძაბვა - ტესტი: 48V,

A2I25D025GNR1

ნაწილი საფონდო: 2963

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 2.69GHz, მოგება: 31.9dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

A2T18H410-24SR6

ნაწილი საფონდო: 571

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.81GHz, მოგება: 17.4dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

AFT20P060-4NR3

ნაწილი საფონდო: 2920

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 2.17GHz, მოგება: 18.9dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

A2T18S261W12NR3

ნაწილი საფონდო: 206

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.805GHz ~ 1.88GHz, მოგება: 18.2dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

AFV121KGSR5

ნაწილი საფონდო: 179

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 960MHz ~ 1.22GHz, მოგება: 19.6dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

A2I08H040NR1

ნაწილი საფონდო: 2543

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 920MHz, მოგება: 30.7dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

AFT09H310-03SR6

ნაწილი საფონდო: 668

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 920MHz, მოგება: 17.9dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

AFT09MP055GNR1

ნაწილი საფონდო: 5075

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 870MHz, მოგება: 15.7dB, ძაბვა - ტესტი: 12.5V,

A2T20H160W04NR3

ნაწილი საფონდო: 1279

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.88GHz ~ 2.025GHz, მოგება: 17dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

AFT18P350-4S2LR6

ნაწილი საფონდო: 637

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.81GHz, მოგება: 16.1dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

AFT21S140W02SR3

ნაწილი საფონდო: 1104

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.14GHz, მოგება: 19.3dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

AFT21H350W04GSR6

ნაწილი საფონდო: 561

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.11GHz, მოგება: 16.4dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

AFT09S200W02SR3

ნაწილი საფონდო: 1063

A2T07H310-24SR6

ნაწილი საფონდო: 563

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 880MHz, მოგება: 18.6dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

AFV121KHSR5

ნაწილი საფონდო: 213

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 960MHz ~ 1.22GHz, მოგება: 19.6dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

AFV09P350-04GNR3

ნაწილი საფონდო: 547

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 920MHz, მოგება: 19.5dB, ძაბვა - ტესტი: 48V,

AFT18S260W31GSR3

ნაწილი საფონდო: 805

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.88GHz, მოგება: 19.6dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

A2T18S162W31GSR3

ნაწილი საფონდო: 977

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.84GHz, მოგება: 20.1dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

A2T18H100-25SR3

ნაწილი საფონდო: 1079

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.81GHz, მოგება: 18.1dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

A2T18S160W31SR3

ნაწილი საფონდო: 948

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.88GHz, მოგება: 19.9dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

AFT18H357-24NR6

ნაწილი საფონდო: 864

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.81GHz, მოგება: 17.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

AFT09MS031NR1

ნაწილი საფონდო: 8190

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 870MHz, მოგება: 17.2dB, ძაბვა - ტესტი: 13.6V,

AFT09S220-02NR3

ნაწილი საფონდო: 1251

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 920MHz, მოგება: 19.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

AFT18S230SR5

ნაწილი საფონდო: 920

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.88GHz, მოგება: 19dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

A2T14H450-23NR6

ნაწილი საფონდო: 224

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.452GHz ~ 1.511GHz, მოგება: 18.8dB, ძაბვა - ტესტი: 31V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

A2T21S260W12NR3

ნაწილი საფონდო: 140

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.11GHz ~ 2.2GHz, მოგება: 17.9dB, ძაბვა - ტესტი: 28V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

AFT09S282NR3

ნაწილი საფონდო: 782

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 960MHz, მოგება: 20dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,