ტრანზისტორები - FET, MOSFET - RF

MRF8S21140HR5

MRF8S21140HR5

ნაწილი საფონდო: 6433

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.14GHz, მოგება: 17.9dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MMRF1004GNR1

MMRF1004GNR1

ნაწილი საფონდო: 5113

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.17GHz, მოგება: 15.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MMRF1024HSR5

MMRF1024HSR5

ნაწილი საფონდო: 737

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 2.5GHz, მოგება: 14.1dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF8P20100HSR5

MRF8P20100HSR5

ნაწილი საფონდო: 4692

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 2.03GHz, მოგება: 16dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MMRF1310HR5

MMRF1310HR5

ნაწილი საფონდო: 1080

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 230MHz, მოგება: 26.5dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRF8S21140HSR5

MRF8S21140HSR5

ნაწილი საფონდო: 6352

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.14GHz, მოგება: 17.9dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MMRF1304NR1

MMRF1304NR1

ნაწილი საფონდო: 3808

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 512MHz, მოგება: 25.4dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MMRF1305HSR5

MMRF1305HSR5

ნაწილი საფონდო: 1146

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 512MHz, მოგება: 26dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRF6V12250HR5

MRF6V12250HR5

ნაწილი საფონდო: 344

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.03GHz, მოგება: 20.3dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRF6VP3450HR5

MRF6VP3450HR5

ნაწილი საფონდო: 564

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 860MHz, მოგება: 22.5dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MMRF1013HSR5

MMRF1013HSR5

ნაწილი საფონდო: 332

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 2.9GHz, მოგება: 13.3dB, ძაბვა - ტესტი: 30V,

სასურველი
MMRF1306HSR5

MMRF1306HSR5

ნაწილი საფონდო: 355

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 230MHz, მოგება: 24dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MW6S010NR1

MW6S010NR1

ნაწილი საფონდო: 6613

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 960MHz, მოგება: 18dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MMRF1314HR5

MMRF1314HR5

ნაწილი საფონდო: 193

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.4GHz, მოგება: 17.7dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRF8S21140HSR3

MRF8S21140HSR3

ნაწილი საფონდო: 5470

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.14GHz, მოგება: 17.9dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRFE8VP8600HSR5

MRFE8VP8600HSR5

ნაწილი საფონდო: 195

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 860MHz, მოგება: 21dB, ძაბვა - ტესტი: 50V, მიმდინარე რეიტინგი: 20µA,

სასურველი
MMRF1020-04NR3

MMRF1020-04NR3

ნაწილი საფონდო: 452

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 920MHz, მოგება: 19.5dB, ძაბვა - ტესტი: 48V,

სასურველი
MRF8S9202GNR3

MRF8S9202GNR3

ნაწილი საფონდო: 934

ტრანზისტორის ტიპი: N-Channel, სიხშირე: 920MHz, მოგება: 19dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MMRF1008HR5

MMRF1008HR5

ნაწილი საფონდო: 423

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.03GHz, მოგება: 20.3dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRF8S21100HR3

MRF8S21100HR3

ნაწილი საფონდო: 6402

ტრანზისტორის ტიპი: N-Channel, სიხშირე: 2.17GHz, მოგება: 18.3dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF8P9300HSR6

MRF8P9300HSR6

ნაწილი საფონდო: 702

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 960MHz, მოგება: 19.4dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRFE6VP5150GNR1

MRFE6VP5150GNR1

ნაწილი საფონდო: 2747

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 230MHz, მოგება: 26.1dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MMRF1006HSR5

MMRF1006HSR5

ნაწილი საფონდო: 234

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 450MHz, მოგება: 20dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRF8P23080HSR3

MRF8P23080HSR3

ნაწილი საფონდო: 1387

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 2.3GHz, მოგება: 14.6dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
ON5154,127

ON5154,127

ნაწილი საფონდო: 6375

სასურველი
MRF6V12500HSR5

MRF6V12500HSR5

ნაწილი საფონდო: 235

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.03GHz, მოგება: 19.7dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRF6VP3091NBR1

MRF6VP3091NBR1

ნაწილი საფონდო: 1555

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 860MHz, მოგება: 22dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRF8P20160HSR5

MRF8P20160HSR5

ნაწილი საფონდო: 6412

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.92GHz, მოგება: 16.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF8S9260HR5

MRF8S9260HR5

ნაწილი საფონდო: 6361

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 960MHz, მოგება: 18.6dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
ON5520,215

ON5520,215

ნაწილი საფონდო: 6405

სასურველი
MMRF1005HSR5

MMRF1005HSR5

ნაწილი საფონდო: 431

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.3GHz, მოგება: 22.7dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRF8S26060HR5

MRF8S26060HR5

ნაწილი საფონდო: 6392

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.69GHz, მოგება: 16.3dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF8P9210NR3

MRF8P9210NR3

ნაწილი საფონდო: 1074

ტრანზისტორის ტიპი: N-Channel, სიხშირე: 960MHz, მოგება: 16.8dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRFE6VP5600HSR6

MRFE6VP5600HSR6

ნაწილი საფონდო: 6410

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 230MHz, მოგება: 25dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRFE6S9046GNR1

MRFE6S9046GNR1

ნაწილი საფონდო: 3362

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 960MHz, მოგება: 19dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MMRF1018NR1

MMRF1018NR1

ნაწილი საფონდო: 1550

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 860MHz, მოგება: 22dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი