ტრანზისტორები - FET, MOSFET - RF

MMRF1006HR5

ნაწილი საფონდო: 295

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 450MHz, მოგება: 20dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

MRF6V2010NR1

ნაწილი საფონდო: 5247

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 220MHz, მოგება: 23.9dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

MRF8S9220HSR3

ნაწილი საფონდო: 898

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 960MHz, მოგება: 19.4dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

MRF085HR3

ნაწილი საფონდო: 130

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.8MHz ~ 1.215GHz, მოგება: 25.6dB, ძაბვა - ტესტი: 50V, მიმდინარე რეიტინგი: 2µA,

MMRF1013HR5

ნაწილი საფონდო: 263

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 2.9GHz, მოგება: 13.3dB, ძაბვა - ტესტი: 30V,

MRFE6VP6300HSR5

ნაწილი საფონდო: 1066

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 230MHz, მოგება: 26.5dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

MRFE6S9046NR1

ნაწილი საფონდო: 6362

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 960MHz, მოგება: 19dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

MMRF1314GSR5

ნაწილი საფონდო: 154

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.4GHz, მოგება: 17.7dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

MRF8S19260HR6

ნაწილი საფონდო: 6343

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.99GHz, მოგება: 18.2dB, ძაბვა - ტესტი: 30V,

MMRF1018NBR1

ნაწილი საფონდო: 1518

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 860MHz, მოგება: 22dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

MRF8P23080HSR5

ნაწილი საფონდო: 6400

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 2.3GHz, მოგება: 14.6dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

MMRF1312HSR5

ნაწილი საფონდო: 172

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.034GHz, მოგება: 19.6dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

MRF8P8300HSR6

ნაწილი საფონდო: 737

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 820MHz, მოგება: 20.9dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

MMRF1007HR5

ნაწილი საფონდო: 221

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.03GHz, მოგება: 20dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

MMRF1315NR1

ნაწილი საფონდო: 3706

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 880MHz, მოგება: 21.1dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

ON5450,518

ნაწილი საფონდო: 6411

MMRF1019NR4

ნაწილი საფონდო: 1661

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.09GHz, მოგება: 25dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

PRFX1K80HR5

ნაწილი საფონდო: 353

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.8MHz ~ 470MHz, მოგება: 24dB, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,

MMRF5014HR5

ნაწილი საფონდო: 279

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 2.5GHz, მოგება: 18dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

MRF8P9040NR1

ნაწილი საფონდო: 5377

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 960MHz, მოგება: 19.1dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

MRF8S18210WHSR3

ნაწილი საფონდო: 912

ტრანზისტორის ტიპი: N-Channel, სიხშირე: 1.93GHz, მოგება: 17.8dB, ძაბვა - ტესტი: 30V,

MRF1K50HR5

ნაწილი საფონდო: 363

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.8MHz ~ 500MHz, მოგება: 22.5dB,

ON5174,118

ნაწილი საფონდო: 6359

MRF6VP121KHSR5

ნაწილი საფონდო: 159

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.03GHz, მოგება: 20dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

MRF8S9220HR5

ნაწილი საფონდო: 6379

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 960MHz, მოგება: 19.4dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

MRF8S21200HSR6

ნაწილი საფონდო: 954

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 2.14GHz, მოგება: 18.1dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

MRF6V13250HSR5

ნაწილი საფონდო: 330

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.3GHz, მოგება: 22.7dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

MRF24300GNR3

ნაწილი საფონდო: 119

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 2.45GHz,

MRF8P18265HSR5

ნაწილი საფონდო: 4651

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.88GHz, მოგება: 16dB, ძაბვა - ტესტი: 30V,

ON5407,135

ნაწილი საფონდო: 6415

MHT1004NR3

ნაწილი საფონდო: 170

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.45GHz, მოგება: 15.2dB, ძაბვა - ტესტი: 32V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

MRF8S18210WHSR5

ნაწილი საფონდო: 6398

ტრანზისტორის ტიპი: N-Channel, სიხშირე: 1.93GHz, მოგება: 17.8dB, ძაბვა - ტესტი: 30V,

MRF8S9102NR3

ნაწილი საფონდო: 1697

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 920MHz, მოგება: 23.1dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

MRFE6VP100HR5

ნაწილი საფონდო: 1122

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 512MHz, მოგება: 26dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

MMRF5014H-200MHZ

ნაწილი საფონდო: 120

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 1MHz ~ 2.7GHz, მოგება: 18dB, ძაბვა - ტესტი: 50V, მიმდინარე რეიტინგი: 5mA,

ON5204,127

ნაწილი საფონდო: 6364