ტრანზისტორები - FET, MOSFET - RF

MRF8P23160WHSR3

MRF8P23160WHSR3

ნაწილი საფონდო: 967

ტრანზისტორის ტიპი: N-Channel, სიხშირე: 2.32GHz, მოგება: 14.1dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF8S26120HR3

MRF8S26120HR3

ნაწილი საფონდო: 6429

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.69GHz, მოგება: 15.6dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MHT1006NT1

MHT1006NT1

ნაწილი საფონდო: 9296

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.17GHz, მოგება: 21.7dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MMRF1011HSR5

MMRF1011HSR5

ნაწილი საფონდო: 317

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.4GHz, მოგება: 18dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRF7S38010HR5

MRF7S38010HR5

ნაწილი საფონდო: 6452

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 3.4GHz ~ 3.6GHz, მოგება: 15dB, ძაბვა - ტესტი: 30V,

სასურველი
MRFE6S9125NBR1

MRFE6S9125NBR1

ნაწილი საფონდო: 2108

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 880MHz, მოგება: 20.2dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF8S21140HR3

MRF8S21140HR3

ნაწილი საფონდო: 6428

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.14GHz, მოგება: 17.9dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF8S8260HR3

MRF8S8260HR3

ნაწილი საფონდო: 6380

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 895MHz, მოგება: 21.1dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF6V12500HR3

MRF6V12500HR3

ნაწილი საფონდო: 6335

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.03GHz, მოგება: 19.7dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRF8S9100HR5

MRF8S9100HR5

ნაწილი საფონდო: 6391

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 920MHz, მოგება: 19.3dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF085HR5

MRF085HR5

ნაწილი საფონდო: 402

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.8MHz ~ 1.215GHz, მოგება: 25.6dB, ძაბვა - ტესტი: 50V, მიმდინარე რეიტინგი: 7µA,

სასურველი
MRF8P20165WHR3

MRF8P20165WHR3

ნაწილი საფონდო: 939

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.98GHz ~ 2.01GHz, მოგება: 14.8dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF6V2010GNR1

MRF6V2010GNR1

ნაწილი საფონდო: 4853

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 220MHz, მოგება: 23.9dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRFE6P9220HR3

MRFE6P9220HR3

ნაწილი საფონდო: 6330

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 880MHz, მოგება: 20dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF8S26120HSR5

MRF8S26120HSR5

ნაწილი საფონდო: 6398

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.69GHz, მოგება: 15.6dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MHT1003NR3

MHT1003NR3

ნაწილი საფონდო: 766

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.4GHz ~ 2.5GHz, მოგება: 15.9dB,

სასურველი
MRF8S19260HSR5

MRF8S19260HSR5

ნაწილი საფონდო: 6338

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.99GHz, მოგება: 18.2dB, ძაბვა - ტესტი: 30V,

სასურველი
MRF1K50N-TF1

MRF1K50N-TF1

ნაწილი საფონდო: 152

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.8MHz ~ 500MHz, მოგება: 23dB, ძაბვა - ტესტი: 50V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
ON5200,118

ON5200,118

ნაწილი საფონდო: 6395

სასურველი
MMRF1009HR5

MMRF1009HR5

ნაწილი საფონდო: 239

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.03GHz, მოგება: 19.7dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRF6S20010GNR1

MRF6S20010GNR1

ნაწილი საფონდო: 4742

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.17GHz, მოგება: 15.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRFE6S9060NR1

MRFE6S9060NR1

ნაწილი საფონდო: 2797

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 880MHz, მოგება: 21.1dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF8S23120HSR5

MRF8S23120HSR5

ნაწილი საფონდო: 6349

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.3GHz, მოგება: 16dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRFE6VP8600HSR5

MRFE6VP8600HSR5

ნაწილი საფონდო: 604

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 860MHz, მოგება: 19.3dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRFE6VP6300HR3

MRFE6VP6300HR3

ნაწილი საფონდო: 1152

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 230MHz, მოგება: 26.5dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRF8P20160HSR3

MRF8P20160HSR3

ნაწილი საფონდო: 6331

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.92GHz, მოგება: 16.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF6V12250HSR5

MRF6V12250HSR5

ნაწილი საფონდო: 326

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.03GHz, მოგება: 20.3dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MMRF1312HR5

MMRF1312HR5

ნაწილი საფონდო: 202

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.03GHz, მოგება: 19.6dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRF7S24250NR3

MRF7S24250NR3

ნაწილი საფონდო: 737

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.45GHz, მოგება: 14.7dB, ძაბვა - ტესტი: 30V,

სასურველი
MRF8S18260HSR5

MRF8S18260HSR5

ნაწილი საფონდო: 6399

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.81GHz, მოგება: 17.9dB, ძაბვა - ტესტი: 30V,

სასურველი
MMRF5015NR5

MMRF5015NR5

ნაწილი საფონდო: 240

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 2.5GHz, მოგება: 16.6dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
ON5262,127

ON5262,127

ნაწილი საფონდო: 4706

სასურველი
MRF8S9232NR3

MRF8S9232NR3

ნაწილი საფონდო: 958

ტრანზისტორის ტიპი: N-Channel, სიხშირე: 960MHz, მოგება: 18.1dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF300AN

MRF300AN

ნაწილი საფონდო: 635

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 27MHz ~ 250MHz, მოგება: 18.7dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRF5S9100MBR1

MRF5S9100MBR1

ნაწილი საფონდო: 6426

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 880MHz, მოგება: 19.5dB, ძაბვა - ტესტი: 26V,

სასურველი
MMRF1020-04GNR3

MMRF1020-04GNR3

ნაწილი საფონდო: 567

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 920MHz, მოგება: 19.5dB, ძაბვა - ტესტი: 48V,

სასურველი