თირისტორები - SCR | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 1

2N5064,112

ნაწილი საფონდო: 7650

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 200V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.71V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 510mA, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800mA,

სასურველი

NXP USA Inc.

BT169H,112

ნაწილი საფონდო: 7800

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 100µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 500mA, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800mA,

სასურველი

NXP USA Inc.

BT149B,126

ნაწილი საფონდო: 7813

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 200V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 500mA, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800mA,

სასურველი