ტრანზისტორები - FET, MOSFET - RF

MRF8S19140HR3

MRF8S19140HR3

ნაწილი საფონდო: 6429

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.96GHz, მოგება: 19.1dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF6VP3091NR1

MRF6VP3091NR1

ნაწილი საფონდო: 1575

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 860MHz, მოგება: 22dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRF6V10010NR4

MRF6V10010NR4

ნაწილი საფონდო: 1633

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.09GHz, მოგება: 25dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MMRF1314HSR5

MMRF1314HSR5

ნაწილი საფონდო: 191

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.4GHz, მოგება: 17.7dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRFE6VP61K25HSR6

MRFE6VP61K25HSR6

ნაწილი საფონდო: 6340

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 230MHz, მოგება: 24dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRF8P9300HSR5

MRF8P9300HSR5

ნაწილი საფონდო: 4726

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 960MHz, მოგება: 19.4dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MHT1008NT1

MHT1008NT1

ნაწილი საფონდო: 9320

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.4GHz ~ 2.5GHz, მოგება: 18.6dB,

სასურველი
MRF6VP121KHR5

MRF6VP121KHR5

ნაწილი საფონდო: 204

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.03GHz, მოგება: 20dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRF8P29300HR5

MRF8P29300HR5

ნაწილი საფონდო: 4677

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 2.9GHz, მოგება: 13.3dB, ძაბვა - ტესტი: 30V,

სასურველი
MRFE6S8046GNR1

MRFE6S8046GNR1

ნაწილი საფონდო: 6331

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 894MHz, მოგება: 19.8dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRFG35003N6AT1

MRFG35003N6AT1

ნაწილი საფონდო: 10964

ტრანზისტორის ტიპი: pHEMT FET, სიხშირე: 3.55GHz, მოგება: 10dB, ძაბვა - ტესტი: 6V,

სასურველი
MMRF1305HR5

MMRF1305HR5

ნაწილი საფონდო: 1124

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 512MHz, მოგება: 26dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRF6V2150NBR1

MRF6V2150NBR1

ნაწილი საფონდო: 1935

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 220MHz, მოგება: 25dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRF8P26080HSR3

MRF8P26080HSR3

ნაწილი საფონდო: 1784

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 2.62GHz, მოგება: 15dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRFE6VS25GNR1

MRFE6VS25GNR1

ნაწილი საფონდო: 3755

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 512MHz, მოგება: 25.4dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRF6S20010NR1

MRF6S20010NR1

ნაწილი საფონდო: 4810

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.17GHz, მოგება: 15.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF6V13250HSR3

MRF6V13250HSR3

ნაწილი საფონდო: 6412

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.3GHz, მოგება: 22.7dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MMRF5016HSR5

MMRF5016HSR5

ნაწილი საფონდო: 6383

ტრანზისტორის ტიპი: HEMT, სიხშირე: 1.8GHz ~ 2.2GHz,

სასურველი
MRF8S7170NR3

MRF8S7170NR3

ნაწილი საფონდო: 1337

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 748MHz, მოგება: 19.5dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
ON5157,127

ON5157,127

ნაწილი საფონდო: 6400

სასურველი
MRF8P9040GNR1

MRF8P9040GNR1

ნაწილი საფონდო: 5310

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 960MHz, მოგება: 19.1dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF8P20165WHSR3

MRF8P20165WHSR3

ნაწილი საფონდო: 894

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.98GHz ~ 2.01GHz, მოგება: 14.8dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRFE6VS25NR1

MRFE6VS25NR1

ნაწილი საფონდო: 3810

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 512MHz, მოგება: 25.4dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MMRF1012NR1

MMRF1012NR1

ნაწილი საფონდო: 6378

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 220MHz, მოგება: 23.9dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MMRF1317HR5

MMRF1317HR5

ნაწილი საფონდო: 202

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.03GHz, მოგება: 18.2dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRFE6VP61K25GSR5

MRFE6VP61K25GSR5

ნაწილი საფონდო: 351

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 230MHz, მოგება: 24dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRF6V14300HR5

MRF6V14300HR5

ნაწილი საფონდო: 239

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.4GHz, მოგება: 18dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
ON5252,118

ON5252,118

ნაწილი საფონდო: 6332

სასურველი
MRF13750HR5

MRF13750HR5

ნაწილი საფონდო: 354

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 700MHz ~ 1.3GHz, მოგება: 20.6dB, ძაბვა - ტესტი: 50V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი
MRF6VP3091NBR5

MRF6VP3091NBR5

ნაწილი საფონდო: 1396

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 860MHz, მოგება: 22dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
MRF8P20140WGHSR3

MRF8P20140WGHSR3

ნაწილი საფონდო: 1040

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.88GHz ~ 1.91GHz, მოგება: 16dB, ძაბვა - ტესტი: 28V,

სასურველი
MRF8P18265HSR6

MRF8P18265HSR6

ნაწილი საფონდო: 6427

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS (Dual), სიხშირე: 1.88GHz, მოგება: 16dB, ძაბვა - ტესტი: 30V,

სასურველი
MRF6V12500GSR5

MRF6V12500GSR5

ნაწილი საფონდო: 155

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 960MHz ~ 1.215GHz, მოგება: 19.7dB, ძაბვა - ტესტი: 50V, მიმდინარე რეიტინგი: 200µA,

სასურველი
MRF6V14300HSR5

MRF6V14300HSR5

ნაწილი საფონდო: 279

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 1.4GHz, მოგება: 18dB, ძაბვა - ტესტი: 50V,

სასურველი
ON5250/A,135

ON5250/A,135

ნაწილი საფონდო: 6337

სასურველი
MHT1108NT1

MHT1108NT1

ნაწილი საფონდო: 102

ტრანზისტორის ტიპი: LDMOS, სიხშირე: 2.45GHz, მოგება: 18.6dB, ძაბვა - ტესტი: 32V, მიმდინარე რეიტინგი: 10µA,

სასურველი