ფიქსირებული ინდუქტორები

TYS60206R8N-10

TYS60206R8N-10

ნაწილი საფონდო: 139224

ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.2A,

სასურველი
TYS6045101M-10

TYS6045101M-10

ნაწილი საფონდო: 148814

ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA, მიმდინარე - სატურაცია: 950mA,

სასურველი
TYS5040680M-10

TYS5040680M-10

ნაწილი საფონდო: 143507

ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA, მიმდინარე - სატურაცია: 900mA,

სასურველი
TYS40304R7M-10

TYS40304R7M-10

ნაწილი საფონდო: 126161

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.9A,

სასურველი
TYS60281R3N-10

TYS60281R3N-10

ნაწილი საფონდო: 146906

ინდუქცია: 1.3µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.58A, მიმდინარე - სატურაცია: 6A,

სასურველი
TYS6045331M-10

TYS6045331M-10

ნაწილი საფონდო: 165723

ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 570mA, მიმდინარე - სატურაცია: 570mA,

სასურველი
TYS40303R3M-10

TYS40303R3M-10

ნაწილი საფონდო: 197016

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.3A,

სასურველი
TYS252012L6R8M-10

TYS252012L6R8M-10

ნაწილი საფონდო: 129372

ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 690mA, მიმდინარე - სატურაცია: 980mA,

სასურველი
TYS40301R0N-10

TYS40301R0N-10

ნაწილი საფონდო: 112663

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.15A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.26A,

სასურველი
TYS252010L3R3M-10

TYS252010L3R3M-10

ნაწილი საფონდო: 192733

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.05A,

სასურველი
TYS4030101M-10

TYS4030101M-10

ნაწილი საფონდო: 134830

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA, მიმდინარე - სატურაცია: 600mA,

სასურველი
TYS5040150M-10

TYS5040150M-10

ნაწილი საფონდო: 135202

ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2A, მიმდინარე - სატურაცია: 2A,

სასურველი
TYS252010L2R2N-10

TYS252010L2R2N-10

ნაწილი საფონდო: 172019

ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.2A,

სასურველი
TYS6028150M-10

TYS6028150M-10

ნაწილი საფონდო: 124981

ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.45A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.75A,

სასურველი
TYS50406R8M-10

TYS50406R8M-10

ნაწილი საფონდო: 162777

ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.9A,

სასურველი
TYS60201R5N-10

TYS60201R5N-10

ნაწილი საფონდო: 197471

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.25A,

სასურველი
TYS252010L4R7M-10

TYS252010L4R7M-10

ნაწილი საფონდო: 173506

ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA, მიმდინარე - სატურაცია: 950mA,

სასურველი
TYS60283R3N-10

TYS60283R3N-10

ნაწილი საფონდო: 180703

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.48A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.15A,

სასურველი
TYS60201R0N-10

TYS60201R0N-10

ნაწილი საფონდო: 141657

ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.15A,

სასურველი
TYS6045220M-10

TYS6045220M-10

ნაწილი საფონდო: 155333

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.05A,

სასურველი
TYS252010L6R8M-10

TYS252010L6R8M-10

ნაწილი საფონდო: 138235

ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 590mA, მიმდინარე - სატურაცია: 780mA,

სასურველი
TYS4030470M-10

TYS4030470M-10

ნაწილი საფონდო: 131919

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 720mA, მიმდინარე - სატურაცია: 950mA,

სასურველი
TYS60204R7N-10

TYS60204R7N-10

ნაწილი საფონდო: 141595

ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2A, მიმდინარე - სატურაცია: 3A,

სასურველი
TYS252012L150M-10

TYS252012L150M-10

ნაწილი საფონდო: 181504

ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 420mA, მიმდინარე - სატურაცია: 680mA,

სასურველი
TYS60281R0N-10

TYS60281R0N-10

ნაწილი საფონდო: 159616

ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.75A,

სასურველი
TYS60282R2N-10

TYS60282R2N-10

ნაწილი საფონდო: 119308

ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.75A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.1A,

სასურველი
TYS6028680M-10

TYS6028680M-10

ნაწილი საფონდო: 126632

ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 860mA, მიმდინარე - სატურაცია: 800mA,

სასურველი
TYS60203R3N-10

TYS60203R3N-10

ნაწილი საფონდო: 128309

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.15A,

სასურველი
TYS252010L100M-10

TYS252010L100M-10

ნაწილი საფონდო: 127351

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA, მიმდინარე - სატურაცია: 650mA,

სასურველი
TYS6028470M-10

TYS6028470M-10

ნაწილი საფონდო: 186920

ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.06A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.15A,

სასურველი
TYS5040100M-10

TYS5040100M-10

ნაწილი საფონდო: 117467

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.35A,

სასურველი
TYS6020100M-10

TYS6020100M-10

ნაწილი საფონდო: 155858

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.75A,

სასურველი
TYS5040101M-10

TYS5040101M-10

ნაწილი საფონდო: 159275

ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA, მიმდინარე - სატურაცია: 750mA,

სასურველი
TYS60284R7N-10

TYS60284R7N-10

ნაწილი საფონდო: 134526

ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.08A, მიმდინარე - სატურაცია: 3A,

სასურველი
TYS6045330M-10

TYS6045330M-10

ნაწილი საფონდო: 108811

ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.45A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.65A,

სასურველი
TYS6020220M-10

TYS6020220M-10

ნაწილი საფონდო: 165268

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.05A,

სასურველი