ფიქსირებული ინდუქტორები

MGV0412R47M-10

MGV0412R47M-10

ნაწილი საფონდო: 21630

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 6A, მიმდინარე - სატურაცია: 6.5A,

სასურველი
MGV03123R3M-10

MGV03123R3M-10

ნაწილი საფონდო: 21605

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.1A,

სასურველი
MGV03121R5M-10

MGV03121R5M-10

ნაწილი საფონდო: 21645

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3A, მიმდინარე - სატურაცია: 4A,

სასურველი
MGV0412220M-10

MGV0412220M-10

ნაწილი საფონდო: 21646

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 0.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 1A,

სასურველი
MGV03122R2M-10

MGV03122R2M-10

ნაწილი საფონდო: 21656

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.4A,

სასურველი
MGV0312R82M-10

MGV0312R82M-10

ნაწილი საფონდო: 21647

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.8A,

სასურველი
MGV0302R68M-10

MGV0302R68M-10

ნაწილი საფონდო: 16277

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 7A,

სასურველი
MGV03024R7M-10

MGV03024R7M-10

ნაწილი საფონდო: 9935

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 3A,

სასურველი
MGV0412R10N-10

MGV0412R10N-10

ნაწილი საფონდო: 21627

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 11.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 25A,

სასურველი
MGV0402R10N-10

MGV0402R10N-10

ნაწილი საფონდო: 16283

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 12A, მიმდინარე - სატურაცია: 35A,

სასურველი
MGV0412100M-10

MGV0412100M-10

ნაწილი საფონდო: 21685

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.4A,

სასურველი
MGV03021R5M-10

MGV03021R5M-10

ნაწილი საფონდო: 16229

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 4A,

სასურველი
MGV0412R22M-10

MGV0412R22M-10

ნაწილი საფონდო: 13290

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 8.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 20A,

სასურველი
MGV03026R8M-10

MGV03026R8M-10

ნაწილი საფონდო: 9918

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.9A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.2A,

სასურველი
MGV0512R10N-10

MGV0512R10N-10

ნაწილი საფონდო: 21679

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 14A, მიმდინარე - სატურაცია: 14.5A,

სასურველი
MGA06031R0M-10

MGA06031R0M-10

ნაწილი საფონდო: 16281

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 12A, მიმდინარე - სატურაცია: 22A,

სასურველი
MGV03124R7M-10

MGV03124R7M-10

ნაწილი საფონდო: 21696

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.8A,

სასურველი
MGV03021R0M-10

MGV03021R0M-10

ნაწილი საფონდო: 16233

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4A, მიმდინარე - სატურაცია: 5A,

სასურველი
MGA0603R82M-10

MGA0603R82M-10

ნაწილი საფონდო: 16530

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 13A, მიმდინარე - სატურაცია: 23A,

სასურველი
MGA06031R5M-10

MGA06031R5M-10

ნაწილი საფონდო: 16210

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 9.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 18A,

სასურველი
MGV0402100M-10

MGV0402100M-10

ნაწილი საფონდო: 9975

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.3A,

სასურველი
MGV0312100M-10

MGV0312100M-10

ნაწილი საფონდო: 13214

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.4A,

სასურველი
MGV0312R22M-10

MGV0312R22M-10

ნაწილი საფონდო: 21624

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 6.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 10A,

სასურველი
MGA06032R2M-10

MGA06032R2M-10

ნაწილი საფონდო: 118

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 8.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 14A,

სასურველი
MGA06034R7M-10

MGA06034R7M-10

ნაწილი საფონდო: 16543

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 9A,

სასურველი
MGV03023R3M-10

MGV03023R3M-10

ნაწილი საფონდო: 16224

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.5A,

სასურველი
MGV0302R82M-10

MGV0302R82M-10

ნაწილი საფონდო: 16285

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 6A,

სასურველი
MGV03126R8M-10

MGV03126R8M-10

ნაწილი საფონდო: 21663

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 2A,

სასურველი
MGA06038R2M-10

MGA06038R2M-10

ნაწილი საფონდო: 8668

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 6A,

სასურველი
MGV0412R68M-10

MGV0412R68M-10

ნაწილი საფონდო: 21636

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5A, მიმდინარე - სატურაცია: 6A,

სასურველი
MGV0302R22N-10

MGV0302R22N-10

ნაწილი საფონდო: 16294

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 9A, მიმდინარე - სატურაცია: 11.2A,

სასურველი
MGA0603100M-10

MGA0603100M-10

ნაწილი საფონდო: 13258

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.5A,

სასურველი
MGV04121R5M-10

MGV04121R5M-10

ნაწილი საფონდო: 21641

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3A, მიმდინარე - სატურაცია: 4A,

სასურველი
MGA06033R3M-10

MGA06033R3M-10

ნაწილი საფონდო: 13243

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 6A, მიმდინარე - სატურაცია: 12A,

სასურველი
MGA0603R22M-10

MGA0603R22M-10

ნაწილი საფონდო: 16300

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 23A, მიმდინარე - სატურაცია: 40A,

სასურველი
MGV04121R0M-10

MGV04121R0M-10

ნაწილი საფონდო: 13240

ტიპი: Molded, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4A, მიმდინარე - სატურაცია: 6A,

სასურველი